[發明專利]一種銀氧化錫氧化銦電接觸材料及其制備方法有效
| 申請號: | 201710981271.3 | 申請日: | 2017-10-20 |
| 公開(公告)號: | CN107794389B | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發明(設計)人: | 張澤忠;陳曉;吳新合;穆成法;祁更新;陳林馳 | 申請(專利權)人: | 溫州宏豐電工合金股份有限公司 |
| 主分類號: | C22C1/05 | 分類號: | C22C1/05;C22C5/06;C22C32/00;H01H1/0237;B22F9/08;B22F1/00 |
| 代理公司: | 上海恒慧知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 徐紅銀 |
| 地址: | 325026 浙江省溫*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氧化 接觸 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種銀氧化錫氧化銦電接觸材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
第一步,將銀錠與添加物金屬錫、銦、鋅、鎳、鉍、銅按比例置于熔煉爐中熔煉,其中采用的金屬原料的重量份數為:銀為35~85份,錫為1~40份,銦為1~20份,鋅為0.01~5份,鎳為0.01~5份,鉍為0.01~5份,銅為0.01~5份;
第二步,將熔煉后的熔融金屬進行霧化制粉,獲得AgSnIn基合金粉體;
第三步,將AgSnIn基合金粉體在高能球磨機中進行高能球磨-機械合金化,實現快速氧化形成銀包裹增強相結構的AgSnO2In2O3中間體粉體;
第四步,將銀粉與AgSnO2In2O3中間體粉體倒入V型混粉機中進行混粉;
第五步,將混粉后的AgSnO2In2O3粉體進行普通球磨;
第六步,將球磨后的粉體進行焙燒;
第七步,將焙燒后的粉體進行冷等靜壓;
第八步,將冷等靜壓獲得的坯體進行燒結;
第九步,將燒結獲得的坯體進行熱擠壓,得到具有增強相彌散分布或纖維狀結構的銀基電觸頭帶材或線材;
所述銀氧化錫氧化銦電接觸材料,其組分及各組分的重量百分含量為:SnO2 4~13%,ZnO 0.01~0.4%,In2O3 2~5%,CuO 0.01~0.2%,NiO 0.01~0.5%,Bi2O3 0.01~0.5%,余量為Ag;
所述銀氧化錫氧化銦電接觸材料具有明顯彌散分布或纖維狀結構,其中纖維狀結構由彌散分布的增強相即添加物中的金屬氧化后所形成的金屬氧化物拉拔、擠壓而成,所述增強相為氧化物SnO2,ZnO,In2O3,CuO,NiO,Bi2O3顆粒。
2.如權利要求1所述的銀氧化錫氧化銦電接觸材料的制備方法,其特征在于,第一步中,所述熔煉溫度為900~1100℃之間,熔煉時間為30~60min。
3.如權利要求1所述的銀氧化錫氧化銦電接觸材料的制備方法,其特征在于,第三步中,所述高能球磨-機械合金化,其中球磨比為10~20,轉速為200~400r/min,時間為1~5h。
4.如權利要求1所述的銀氧化錫氧化銦電接觸材料的制備方法,其特征在于,第四步中,銀粉與AgSnO2In2O3中間體粉體的重量比例根據所需制備的AgSnO2In2O3材料成分計算所得,所述混粉時間為2~6h,轉速為30~100r/min。
5.如權利要求1所述的銀氧化錫氧化銦電接觸材料的制備方法,其特征在于,第五步中,所述球磨轉速為30~100r/min,球磨時間為10~30h,球料比為1~10。
6.如權利要求1-5任一項所述的銀氧化錫氧化銦電接觸材料的制備方法,其特征在于,具有如下一種或多種特征:
-第六步中,所述焙燒,溫度為400~700℃,時間為1~6h;
-第七步中,所述等靜壓壓強為80~300MPa;
-第八步中,所述燒結,燒結溫度為800~930℃,保溫時間為10~20h。
7.如權利要求1-5任一項所述的銀氧化錫氧化銦電接觸材料的制備方法,其特征在于,第九步中,所述熱擠壓坯體加熱溫度為600~900℃,擠壓比在30~300之間,擠壓速度為5~15cm/min,擠壓模具預熱溫度300~500℃。
8.一種采用權利要求1-7任一項所述方法制備的銀氧化錫氧化銦電接觸材料。
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