[發(fā)明專利]對準(zhǔn)標(biāo)記清洗方法以及半導(dǎo)體制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710980516.0
• 申請日: 2017-10-19
• 公開（公告）號: CN109686649A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋春;曾紅林;仇峰;陳文磊;游智星
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種對準(zhǔn)標(biāo)記清洗方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底上具有對準(zhǔn)標(biāo)記，所述對準(zhǔn)標(biāo)記被雜質(zhì)覆蓋；

提供反應(yīng)器皿，使得所述反應(yīng)器皿罩住被雜質(zhì)覆蓋的對準(zhǔn)標(biāo)記；

向所述反應(yīng)器皿中注入藥液，與所述雜質(zhì)反應(yīng)；

排出反應(yīng)器皿中反應(yīng)后的產(chǎn)物；以及

移除所述反應(yīng)器皿。

2.如權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)標(biāo)記清洗方法，其特征在于，執(zhí)行多次向所述反應(yīng)器皿中注入藥液以及排出反應(yīng)器皿中反應(yīng)后的產(chǎn)物的循環(huán)過程。

3.如權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)標(biāo)記清洗方法，其特征在于，所述對準(zhǔn)標(biāo)記的材質(zhì)為硅。

4.如權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)標(biāo)記清洗方法，其特征在于，所述雜質(zhì)為不透光雜質(zhì)。

5.如權(quán)利要求4所述的對準(zhǔn)標(biāo)記清洗方法，其特征在于，所述雜質(zhì)包括氧化物，所述藥液包括濃度為40％～50％的氫氟酸溶液。

6.如權(quán)利要求4所述的對準(zhǔn)標(biāo)記清洗方法，其特征在于，所述雜質(zhì)包括金屬及其化合物，所述藥液包括NH₄OH和H₂O₂的混合液。

7.如權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)標(biāo)記清洗方法，其特征在于，在排出反應(yīng)器皿中反應(yīng)后的產(chǎn)物之后；在移除所述反應(yīng)器皿之前，還包括：

利用去離子水清洗所述對準(zhǔn)標(biāo)記。

8.如權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)標(biāo)記清洗方法，其特征在于，所述反應(yīng)器皿罩住被雜質(zhì)覆蓋的對準(zhǔn)標(biāo)記的方法包括：

所述基底固定于第一承載臺上，所述反應(yīng)器皿固定于第二承載臺上，所述第一承載臺與所述第二承載臺相對間隔設(shè)置，所述反應(yīng)器皿的一端開口朝向所述第一承載臺；

使所述第一承載臺與所述第二承載臺相對移動，以便所述反應(yīng)器皿罩住被雜質(zhì)覆蓋的對準(zhǔn)標(biāo)記。

9.如權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)標(biāo)記清洗方法，其特征在于，所述反應(yīng)器皿為文氏管。

10.如權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)標(biāo)記清洗方法，其特征在于，所述對準(zhǔn)標(biāo)記為零層全局對準(zhǔn)標(biāo)記。

11.一種半導(dǎo)體制造方法，其特征在于，包括：在半導(dǎo)體制造過程中，利用如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的對準(zhǔn)標(biāo)記清洗方法進(jìn)行對準(zhǔn)標(biāo)記的清洗。