[發明專利]陣列基板及顯示面板

在審

• 申請號: 201710980466.6
• 申請日: 2017-10-19
• 公開（公告）號: CN107728391A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 謝克成
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1337
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰,顧楠楠

技術領域

本發明涉及一種液晶顯示面板技術，特別是一種陣列基板及顯示面板。

背景技術

TFT-LCD(Thin Film Transistor，薄膜晶體管，Liquid Crystal Display,液晶顯示器)的制作非常復雜，需要經過陣列基板(TFT基板)制作，彩膜基板(CF基板)制作，在陣列基板和彩膜基板上分別涂布PI(配向膜)，完成PI涂布后，在陣列基板或彩膜基板上滴下液晶和框膠，并將滴下液晶和框膠的陣列基板和彩膜基板對組，經過框膠固化后完成制作。在將陣列基板和彩膜基板對組過程中，因對組精度和兩個基板膜面收縮程度不同，容易導致上下基板間發生細微偏移(這里的上基板可以為彩膜基板也可以是一般的蓋板，下基板為陣列基板)，從而發生漏光不良。目前的解決方法是管控對組精度和管控上下基板各層膜的收縮。該方法在作業過程中會犧牲掉各站點的監控生產時間，并且不能徹底解決漏光問題。

發明內容

為克服現有技術的不足，本發明提供一種陣列基板及顯示面板，解決因上下基板偏移導致的漏光問題。

本發明提供了一種陣列基板，包括薄膜晶體管、公共電極、像素電極以及配向電極，所述配向電極設于與黑色矩陣位置相對應處，所述配向電極用于為位于黑色矩陣位置處的液晶分子提供定向電壓，使該位置處的液晶分子進行定向排列。

進一步地，所述配向電極采用氧化銦錫材料制成。

進一步地，所述配向電極包括第一電極以及第二電極，所述第二電極至少分布在第一電極的其中一側且與第一電極相連。

進一步地，所述第二電極為圓形或多邊形。

進一步地，所述配向電極與公共電極、陣列基板的掃描線或陣列基板的數據線相連。

進一步地，所述配向電極與像素電極設置在同一層上。

本發明還提供了一種顯示面板，包括上基板和下基板，所述下基板采用所述的陣列基板，所述上基板包括黑色矩陣。

進一步地，所述配向電極限定于黑色矩陣的線寬之中。

進一步地，所述陣列基板為COA陣列基板。

本發明與現有技術相比，通過在陣列基板上與黑色矩陣位置相對應處設置配向電極，通過配向電極為液晶分子提供定向的電壓，從而使得位于黑色矩陣位置上的液晶分子能夠進行定向排列，從而解決漏光的問題，進一步提升產品的良率和生產效率。

附圖說明

圖1是本發明陣列基板的結構示意圖；

圖2是本發明配向電極與黑色矩陣的位置關系投影圖；

圖3是本發明的又一種陣列基板的結構示意圖；

圖4是本發明顯示面板的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步詳細說明。

如圖1所示，本發明的陣列基板包括基板10、設于基板10上的薄膜晶體管1、公共電極2、像素電極3以及配向電極4，所述配向電極4設于與黑色矩陣位置相對應處(從圖中看，其與薄膜晶體管1的位置也相對)，所述配向電極4用于為位于黑色矩陣位置處的液晶分子提供定向電壓，使該位置處的液晶分子進行定向排列，所述配向電極4與像素電極3設置在同一層上，具體地，所述配向電極4限定于黑色矩陣5的線寬之中，也就是說配向電極4的最大圖形的寬度小于黑色矩陣5的線寬。

所述配向電極4采用氧化銦錫(ITO)材料制成。

如圖2所示，配向電極4包括第一電極41以及第二電極42，所述第二電極42至少分布在第一電極41的其中一側且與第一電極41相連；具體地，第二電極42分布在第一電極41的兩側，使第一電極41的兩側形成多個分支。這里值得注意的是，對配向電極4進行圖案化時，第二電極42的形狀可根據實際情況進行設置，例如為圓形或多邊形，如圖2所示，第二電極42為矩形條狀，使第一電極41的邊緣形成鋸齒狀結構。

所述配向電極4與公共電極2、陣列基板的掃描線(圖中未示出)或陣列基板的數據線(圖中未示出)相連，但本發明不限于此，還可以專門對配向電極4輸入一用于配向的電壓，具體地，第一電極41與公共電極2、陣列基板的掃描線或陣列基板的數據線連接，由于掃描線和數據線為陣列基板的常規部件，在此不再贅述，僅需保證配向電極4與公共電極2、陣列基板的掃描線(圖中未示出)或陣列基板的數據線(圖中未示出)的其中之一相連即可；如圖2所示，配向電極4與公共電極2相連。

本發明中，配向電極4的制作方法可采用現有的ITO膜層的制作方法實現，通過圖案化后，形成配向電極4，在此不做具體限定。