[發明專利]一種高能太赫茲波產生裝置在審
| 申請號： | 201710979132.7 | 申請日： | 2017-10-19 |
| 公開（公告）號： | CN107561816A | 公開（公告）日： | 2018-01-09 |
| 發明（設計）人： | 吳曉君;戴軍;方兆吉 | 申請（專利權）人： | 北京航空航天大學 |
| 主分類號： | G02F1/35 | 分類號： | G02F1/35 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司11002 | 代理人： | 王瑩,吳歡燕 |
| 地址： | 100191*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高能 赫茲 產生 裝置 | ||
1.一種高能太赫茲波產生裝置，其特征在于，包括：飛秒激光器、用于波前傾斜的光柵以及鈮酸鋰晶體，所述光柵制備在所述鈮酸鋰晶體的入射面上；
所述飛秒激光器發射的泵浦飛秒激光通過所述光柵射入所述鈮酸鋰晶體中，從而在所述鈮酸鋰晶體中產生太赫茲輻射，其中，所述泵浦飛秒激光通過所述光柵射入到所述鈮酸鋰晶體時的所述泵浦飛秒激光的偏振方向與所述鈮酸鋰晶體的晶軸平行。
2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述用于波前傾斜的光柵為透射型光柵或反射型光柵。
3.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述透射型光柵或反射型光柵的光程差等于一個波長。
4.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述透射型光柵或反射型光柵的刻線密度為1500～2000線每毫米。
5.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述鈮酸鋰晶體的出射面上安置有激發光分離器，所述激發光分離器將所述鈮酸鋰晶體中產生的太赫茲輻射和所述泵浦飛秒激光分離。
6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述激發光分離器為高阻硅片，所述高阻硅片透射所述太赫茲輻射，并反射所述泵浦飛秒激光。
7.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述激發光分離器為ITO玻璃，所述ITO玻璃透射所述泵浦飛秒激光，并反射所述太赫茲輻射。
8.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述鈮酸鋰晶體的相位匹配角度為62～63度。
9.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述鈮酸鋰晶體為厚度1～5mm的鈮酸鋰晶片。
10.根據權利要求1-9任一所述的裝置，其特征在于，所述鈮酸鋰晶體的入射面和出射面進行了光學拋光。
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