[發明專利]陶瓷CSP封裝基板結構

在審

• 申請號: 201710978860.6
• 申請日: 2017-10-19
• 公開（公告）號: CN107743022A
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發明（設計）人: 蔣燕港;劉紹侃;張忠云;張正;劉長順
• 申請（專利權）人: 深圳華遠微電科技有限公司
• 主分類號: H03H9/05
• 分類號: H03H9/05;H03H9/10
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 吳平

1.一種陶瓷CSP封裝基板結構，用于封裝聲表面波器件，其特征在于，所述陶瓷CSP封裝基板結構包括第一線路層、貼設所述第一線路層的中間層、及貼設于所述中間層遠離所述第一線路層的一面的第二線路層，所述第二線路層用于連接所述聲表面波器件的芯片；所述第一線路層包括第一基板，所述第一基板上設有若干第一通孔；所述中間層包括第二基板，所述第二基板上設有若干第二通孔，各所述第二通孔分別對應且連通各所述第一通孔；所述第二線路層包括與所述第二基板相對應的第三基板、設置于所述第三基板遠離所述中間層的一面上的若干信號盤、及圍設所述信號盤的屏蔽片；所述屏蔽片用于連接所述芯片的接地信號位；所述第三基板上設有若干第三通孔，所述第三通孔與所述第二通孔呈錯位設置；所述信號盤采用三極性設置，包括一個輸入信號盤及兩個輸出信號盤；當選擇非差分信號輸出時，所述輸入信號盤用于連接外接輸入信號，一所述輸出信號盤用于連接所述芯片的輸出信號位，另一所述輸出信號盤用于連接所述芯片的接地信號位；當選擇差分信號輸出時，所述輸入信號盤用于連接所述外接輸入信號，二所述輸出信號盤均用于連接所述芯片的輸出信號位。

2.根據權利要求1所述的陶瓷CSP封裝基板結構，其特征在于，所述第一線路層還包括設置于所述第一基板遠離所述中間層的一面上的若干焊接盤、及設置于所述第一基板連接所述中間層的一面上的若干第一中轉盤；各所述第一中轉盤與各所述焊接盤一一對應；所述第一通孔分別貫穿相互對應的所述焊接盤與所述第一中轉盤。

3.根據權利要求2所述的陶瓷CSP封裝基板結構，其特征在于，所述中間層還包括分別設置于所述第二基板相對兩面的若干第二中轉盤與若干第三中轉盤；所述第三中轉盤與所述第二中轉盤一一對應；所述第二通孔分別貫穿相互對應的所述第二中轉盤與所述第三中轉盤；所述第二中轉盤與所述第一中轉盤一一對應。

4.根據權利要求3所述的陶瓷CSP封裝基板結構，其特征在于，各述第三通孔分別貫穿相互對應的所述第四中轉盤各所述信號盤、相互對應的所述第四中轉盤與所述屏蔽片；所述第四中轉盤與所述第三中轉盤一一對應。

5.根據權利要求4所述的陶瓷CSP封裝基板結構，其特征在于，所述第一中轉盤緊密貼設所述第二中轉盤，所述第三中轉盤緊密貼設所述第四中轉盤；所述第二通孔的一端抵接所述第四中轉盤，所述第三通孔的一端抵接所述第三中轉盤。

6.根據權利要求5所述的陶瓷CSP封裝基板結構，其特征在于，所述第一通孔、所述第二通孔及所述第三通孔的孔壁均鍍有第二導電層，電氣連通所述第一線路層、所述中間層與所述第二線路層。

7.根據權利要求6所述的陶瓷CSP封裝基板結構，其特征在于，所述焊接盤、所述第三中轉盤的裸露部分、所述第四中轉盤的裸露部分、所述信號盤及所述屏蔽片均鍍有所述第二導電層。

8.根據權利要求1所述的陶瓷CSP封裝基板結構，其特征在于，所述第一線路層、所述中間層與所述第二線路層的厚度范圍均為0.08mm-0.12mm；所述第一通孔、所述第二通孔與所述第三通孔的孔徑范圍均為1.26mm-1.28mm。

9.根據權利要求8所述的陶瓷CSP封裝基板結構，其特征在于，所述第一線路層、所述中間層與所述第二線路層的厚度均為0.1mm；所述第一通孔、所述第二通孔與所述第三通孔的孔徑均為1.27mm。

10.根據權利要求1所述的陶瓷CSP封裝基板結構，其特征在于，所述第一線路層與所述中間層、所述第二線路層采用HTCC技術集成一個整體結構。