[發明專利]能夠測量溫度的存儲器模塊及使用其的系統

有效

• 申請號: 201710977716.0
• 申請日: 2017-10-17
• 公開（公告）號: CN108281161B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 尹鉉柱
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C5/02
• 分類號: G11C5/02;G11C5/06;G01K7/02;G11C11/4063
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩;王朋飛

本發明公開了一種存儲器模塊。存儲器模塊可以包括熱電偶和溫度傳感器。熱電偶可以聯接到形成在區域上的多個接觸點中的至少一個接觸點，存儲器裝置被配置成安裝在該區域上。溫度傳感器可以聯接到熱電偶，并且可以被配置成產生溫度信息。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2017年1月5日向韓國知識產權局提交的韓國申請號為10-2017-0001726的優先權，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

各個實施例通常可以涉及一種半導體技術，更具體地，涉及一種存儲器模塊及使用其的系統。

背景技術

電子裝置包括許多電子元件，并且計算機系統包括含有半導體設備的電子元件。作為代表性的電子裝置的計算機系統包括用作主機的處理器和用作數據存儲裝置的存儲器。特別地，多個存儲器可以形成在模塊中，可以安裝在存儲器系統中，并且可以用作臨時存儲裝置。代表性的模塊是雙列直插式存儲器模塊(DIMM)。通常，DIMM包括多個DRAM，并且通過多個DRAM與處理器進行數據通信。由于DRAM包括含有電容器的存儲器單元，所以DRAM具有與溫度敏感性相關的特性。因此，必須測量存儲器模塊中的DRAM的溫度，以提供系統的可靠性。

發明內容

在實施例中，可以提供一種存儲器模塊。存儲器模塊可以包括含有區域的模塊襯底，存儲器裝置可以被配置成安裝在該區域上，其中多個接觸點可以形成在該區域上。存儲器模塊可以包括聯接到多個接觸點中的至少一個接觸點的熱電偶。存儲器模塊可以包括聯接到熱電偶并且被配置成產生溫度信息的溫度傳感器。

在實施例中，可以提供一種存儲器模塊。存儲器模塊可以包括含有多個區域的模塊襯底，多個存儲器裝置可以被配置成安裝在該區域上，其中多個接觸點可以形成在多個區域中的每一個上。存儲器模塊可以包括聯接到各個區域的多個接觸點中的至少一個接觸點的多個熱電偶。存儲器模塊可以包括聯接到多個熱電偶并且被配置成產生多個溫度信息的溫度傳感器。

附圖說明

圖1是說明表示根據實施例的存儲器模塊的示例的簡圖。

圖2是說明表示根據實施例的存儲器模塊的示例的簡圖。

圖3是說明表示圖2的溫度傳感器的示例的簡圖。

圖4是說明表示根據實施例的系統的示例的簡圖。

圖5是說明表示根據實施例的系統的示例的簡圖。

具體實施方式

在下文中，將通過各個實施例并參照附圖來描述根據實施例的半導體設備。

圖1是說明表示根據實施例的存儲器模塊1的示例的簡圖。存儲器模塊1可以包括模塊襯底110和多個存儲器裝置121、123和124。多個存儲器裝置121、123和124可以安裝在模塊襯底110上。多個存儲器裝置121、123和124可以包括一個或多個易失性存儲器和非易失性存儲器。易失性存儲器可以包括例如但不限于靜態RAM(SRAM)、動態RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。非易失性存儲器可以包括例如但不限于只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電擦除和可編程ROM(EEPROM)、電可編程ROM(EPROM)、閃速存儲器、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻RAM(RRAM)，鐵電RAM(FRAM)等。