[發(fā)明專利]聯(lián)苯二胺型的三芳胺化合物及包含其的有機(jī)電致發(fā)光器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710977285.8
• 申請(qǐng)日: 2017-10-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108569970B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李之洋;邢其鋒;任雪艷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京鼎材科技有限公司;固安鼎材科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C07C211/58
• 分類(lèi)號(hào): C07C211/58;C07C211/61;C07D213/38;H01L51/54
• 代理公司: 北京市創(chuàng)世宏景專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11493
• 代理人: 崔永華

1.一種聯(lián)苯二胺型的三芳胺化合物，其結(jié)構(gòu)由如下述通式(Ⅰ)所示，

其中，Ar¹、Ar²獨(dú)立地選自：

虛線表示與通式(Ⅰ)中的N原子的鍵合部位，

R¹、R²獨(dú)立地選自未取代的C₃-C₂₀的芳基；

R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸、R⁹獨(dú)立地選自：氫、C₁-C₄的烷基；

R¹⁰、R¹¹獨(dú)立地為選自C₁-C₄的烷基、C₃-C₆的環(huán)烷基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基中的至少一種；

各個(gè)R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸或者R⁹并不互相連接成環(huán)，亦不和其相鄰的苯環(huán)稠合成環(huán)；

n表示0～3的整數(shù)，m表示0～5的整數(shù)，p表示0～7的整數(shù)，q表示0～4的整數(shù)，

n、m、p、q為2以上時(shí)，多個(gè)R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸或者R⁹各自之間可以相同也可以不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，R¹、R²獨(dú)立地為未取代的選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基中的至少一種，

R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸、R⁹獨(dú)立地為選自C₁-C₄的烷基中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化合物，其中，

R¹與R²相同，R³與R⁴相同，R⁵與R⁶相同，R¹⁰與R¹¹相同。

4.一種化合物，其中，

所述化合物選自以下化合物中的一種：

5.一種空穴傳輸材料，其包含權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的化合物。

6.權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的化合物在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。

7.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其包括基板、陰極、陽(yáng)極以及位于所述陰極與所述陽(yáng)極之間的空穴傳輸層，所述空穴傳輸層包含權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的化合物、或權(quán)利要求5所述的空穴傳輸材料。

8.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其包括基板、陰極、陽(yáng)極以及位于所述陰極與所述陽(yáng)極之間的空穴注入層，所述空穴注入層包含權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的化合物、或權(quán)利要求5所述的空穴傳輸材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其依次具有陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。