[發(fā)明專利]氧化物薄膜晶體管顯示基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710977057.0
• 申請日: 2017-10-19
• 公開（公告）號: CN107644880B
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉曉偉;孟凡清;王洋;安亞斌;樊之勇;吳成龍
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;福州京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;張博

1.一種氧化物薄膜晶體管顯示基板的制作方法，所述氧化物薄膜晶體管顯示基板包括至少對應(yīng)于氧化物薄膜晶體管的半導(dǎo)體區(qū)域的第一區(qū)域和除所述第一區(qū)域之外的第二區(qū)域，其特征在于，所述制作方法包括：

在形成所述氧化物薄膜晶體管后，形成至少覆蓋所述第一區(qū)域的SiON層，所述氧化物薄膜晶體管包括依次形成在襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、有源層、源電極和漏電極，所述氧化物薄膜晶體管顯示基板包括有覆蓋所述氧化物薄膜晶體管的鈍化層，所述鈍化層包括所述SiON層；

形成覆蓋所述第二區(qū)域的SiNx層；

形成覆蓋所述第二區(qū)域的SiNx層之前，所述氧化物薄膜晶體管顯示基板上形成有貫穿柵絕緣層和鈍化層的第一過孔，形成覆蓋所述第二區(qū)域的SiNx層的同時還利用所述SiNx層填充所述第一過孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物薄膜晶體管顯示基板的制作方法，其特征在于，所述形成至少覆蓋所述第一區(qū)域的SiON層包括：

形成覆蓋所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的SiON層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物薄膜晶體管顯示基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具體包括：

提供一形成有氧化物薄膜晶體管和公共電極線的襯底基板，所述有源層在所述襯底基板上的正投影落入所述柵電極在所述襯底基板上的正投影內(nèi)，所述公共電極線與所述柵電極同層設(shè)置且呈狹縫狀；

形成覆蓋所述氧化物薄膜晶體管的鈍化層；

在所述鈍化層上形成像素電極和公共電極，所述公共電極通過貫穿所述柵絕緣層和所述鈍化層的所述第一過孔與所述公共電極線連接，所述像素電極通過貫穿所述鈍化層的第二過孔與所述漏電極連接；

在形成有所述像素電極和所述公共電極的襯底基板上涂覆光刻膠，從所述襯底基板背向所述氧化物薄膜晶體管的一側(cè)進(jìn)行曝光，未被所述柵電極遮擋的光刻膠被曝光；

顯影后去除未被所述柵電極遮擋的光刻膠，保留被所述柵電極遮擋的光刻膠；

進(jìn)行SiNx層的沉積，沉積的所述SiNx層填充部分所述第一過孔；

剝離剩余的光刻膠，光刻膠上的SiNx層也隨之被剝離。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧化物薄膜晶體管顯示基板的制作方法，其特征在于，

在低于250℃的環(huán)境下進(jìn)行所述SiNx層的沉積。

5.一種氧化物薄膜晶體管顯示基板，包括至少對應(yīng)于氧化物薄膜晶體管的半導(dǎo)體區(qū)域的第一區(qū)域和除所述第一區(qū)域之外的第二區(qū)域，其特征在于，還包括：

位于所述氧化物薄膜晶體管上、至少覆蓋所述第一區(qū)域的SiON層，所述氧化物薄膜晶體管包括依次形成在襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、有源層、源電極和漏電極，所述氧化物薄膜晶體管顯示基板包括有覆蓋所述氧化物薄膜晶體管的鈍化層，所述鈍化層包括所述SiON層；

位于所述SiON層上、覆蓋所述第二區(qū)域的SiNx層；

所述氧化物薄膜晶體管顯示基板上形成有貫穿柵絕緣層和鈍化層的第一過孔，所述SiNx層填充部分所述第一過孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氧化物薄膜晶體管顯示基板，其特征在于，所述SiON層覆蓋所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氧化物薄膜晶體管顯示基板，其特征在于，所述氧化物薄膜晶體管顯示基板具體包括：

位于襯底基板上的氧化物薄膜晶體管和公共電極線，所述有源層在所述襯底基板上的正投影落入所述柵電極在所述襯底基板上的正投影內(nèi)，所述公共電極線與所述柵電極同層設(shè)置且呈狹縫狀；

覆蓋所述氧化物薄膜晶體管的鈍化層；

位于所述鈍化層上的像素電極和公共電極，所述公共電極通過貫穿所述柵絕緣層和所述鈍化層的所述第一過孔與所述公共電極線連接，所述像素電極通過貫穿所述鈍化層的第二過孔與所述漏電極連接；

位于所述鈍化層上的所述SiNx層，所述SiNx層在所述襯底基板上的正投影與所述柵電極在所述襯底基板上的正投影不重合。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求5-7中任一項所述的氧化物薄膜晶體管顯示基板。