[發明專利]半導體器件及制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201710976438.7
• 申請日: 2012-03-02
• 公開（公告）號: CN107658265B
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 長田昌也
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/498;H01L27/146
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;曹正建

本公開涉及半導體器件及制造半導體器件的方法。所述半導體器件包括：半導體基板，包括半導體；玻璃基板，在所述半導體基板的上方；電極層，形成在所述半導體基板的第一表面側上；導體層，形成在至少所述半導體基板的所述第一表面上；孔，形成為從所述半導體基板的第二表面穿過所述半導體基板和所述電極層至所述導體層；以及配線層，其形成于所述孔中，通過在所述半導體基板的所述第一表面上的所述導體層電連接至所述電極層，所述配線層通過設置在所述配線層和所述電極層之間的絕緣層從所述電極層物理分離。

本申請是申請日為2012年03月02日、申請號為201210052600.3、發明名稱為“半導體器件及其制造工藝以及電子裝置”的專利申請的分案申請。

技術領域

本公開涉及半導體器件及其制造工藝以及電子裝置，特別涉及能夠降低制造成本的半導體器件及其制造工藝以及電子裝置。

背景技術

由CMOS(互補金屬氧化物半導體)圖像傳感器代表的固態成像器件采用了WL-CSP(晶片級芯片尺寸封裝)。WL-CSP涉及在從半導體基板切出芯片前形成端子并進行配線。

WL-CSP制造步驟包括這樣一種工藝，通過該工藝形成從半導體基板的背面開口至半導體基板內的金屬襯墊的細微縱孔(VIA)?？v孔的形成是極大地影響半導體元件的制造成本的工藝。

作為先有工藝，使用的是DRIE(深反應離子蝕刻)來在硅晶片中形成縱孔。然而，DRIE涉及高的裝置成本。此外，DRIE需要光刻步驟，其中在向硅晶片表面涂布感光物質后使之圖案狀地曝光。

作為對策，已提出了使用利用激光鉆孔的基板形成技術來在硅晶片中形成縱孔的工藝。使用激光鉆孔的工藝通過照射激光束在基板中形成縱孔，不需要光刻步驟。此外，因為激光鉆具比較便宜，所以激光鉆孔工藝比起DRIE工藝，就制造成本而言，具有很大的優勢。

然而，對于激光鉆孔非常困難的是例如控制工藝的精度，以使鉆孔過程在縱孔到達半導體基板內的金屬襯墊時停止。

關于這一點，JP-A-2007-305995公開了這樣一種半導體器件制造工藝，其在半導體基板內的金屬襯墊上設置金屬隆起，并通過激光鉆孔形成到達金屬隆起的縱孔。在該工藝中，金屬隆起用作形成縱孔的激光鉆孔的制止物。例如，將15μm厚鍍鎳用作金屬隆起。

然而，如前述出版物中所公開那樣將金屬隆起用作激光鉆孔的制止物，需要低激光輸出，以避免穿透金屬隆起。因此，縱孔加工需要花費長時間。同樣需要花費長時間來形成用作金屬隆起的15μm厚鍍鎳。在半導體基板中形成縱孔所需的長加工時間使制造成本增加。

可想到的是，增加金屬隆起的厚度即使在高激光鉆孔輸出時將避免金屬隆起的穿透。然而，厚金屬隆起的形成增加了額外的時間。

因此，有必要通過降低縱孔加工時間來降低制造成本。

發明內容

因此，希望的是提供降低制造成本的方法。

本公開的一個實施例涉及一種半導體器件，其包括：半導體基板，包括半導體；玻璃基板，在所述半導體基板的上方；電極層，形成在所述半導體基板的第一表面側上；導體層，形成在至少所述半導體基板的所述第一表面上；孔，形成為從所述半導體基板的第二表面穿過所述半導體基板和所述電極層至所述導體層；以及配線層，其形成于所述孔中，通過在所述半導體基板的所述第一表面上的所述導體層電連接至所述電極層，所述配線層通過設置在所述配線層和所述電極層之間的絕緣層從所述電極層物理分離。