[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710975386.1
• 申請日: 2017-10-16
• 公開（公告）號: CN109671774B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 潘盼;張乃千;宋晰;許建華
• 申請（專利權）人: 蘇州能訊高能半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L21/335;H01L29/417
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 王術蘭

1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：

半導體基底；

制作于所述半導體基底一側的源極、柵極和漏極；

在形成歐姆接觸的源極所在區域預留的通孔區域以及在該區域制作的刻蝕阻擋層；以及

位于所述刻蝕阻擋層下方貫穿所述半導體基底的通孔；

其中，所述預留的通孔區域在平行于所述柵極的方向上貫穿所述源極的至少一端，使該源極的至少一端呈開口狀。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的面積小于所述預留的通孔區域的面積，所述刻蝕阻擋層與所述源極之間具有空隙，使所述源極與所述刻蝕阻擋層不直接接觸。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述源極以及所述刻蝕阻擋層上方覆蓋有連通金屬，使所述源極和所述刻蝕阻擋層通過該連通金屬連接。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述刻蝕阻擋層覆蓋所述預留的通孔區域和源極，使所述刻蝕阻擋層與所述源極直接接觸連通。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述預留的通孔區域在平行于所述柵極的方向貫穿所述源極，使該源極兩端呈開口狀。

6.根據權利要求1至4任意一項所述的半導體器件，其特征在于，該半導體器件在每個源極對應的區域開設多個預留的通孔區域，該多個通孔區域相互連通并在平行于柵極的方向貫穿該源極，使該源極兩端呈開口狀。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的面積大于所述通孔靠近所述半導體基底設置所述源極一側的橫截面的面積。

8.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，該制造方法包括：

提供一半導體基底；

在所述半導體基底一側制作源極、柵極和漏極，其中，在制作所述源極時，在所述源極所在區域形成預留的通孔區域，該預留的通孔區域內沒有源極歐姆金屬；其中，所述預留的通孔區域在平行于所述柵極的方向上貫穿所述源極的至少一端，使該源極的至少一端呈開口狀；

在所述預留的通孔區域制作刻蝕阻擋層；

在所述源極和刻蝕阻擋層位于所述半導體基底的同一側制作連通金屬，使所述源極和刻蝕阻擋層通過所述連通金屬連接；

從所述半導體基底遠離所述源極的一側，所述刻蝕阻擋層的下方刻蝕形成貫穿所述半導體基底的通孔。

9.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述源極所在區域形成預留的通孔區域的步驟包括：

在所述半導體基底一側預先確定的預留的通孔區域的部分使用遮擋材料覆蓋，然后在該側沉積材料形成源極歐姆金屬；

將所述遮擋材料去除，形成所述預留的通孔區域。