[發(fā)明專利]一種單晶硅連續(xù)生產(chǎn)結(jié)晶加料設(shè)備及工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710971901.9 | 申請日: | 2017-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN107604428A | 公開(公告)日: | 2018-01-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 路建華;陳欽強(qiáng) | 申請(專利權(quán))人: | 青海日晶光電有限公司 |
| 主分類號: | C30B15/02 | 分類號: | C30B15/02;C30B29/06 |
| 代理公司: | 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所(普通合伙)32231 | 代理人: | 張宇 |
| 地址: | 817099 青海省海西蒙古族*** | 國省代碼: | 青海;63 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 單晶硅 連續(xù)生產(chǎn) 結(jié)晶 加料 設(shè)備 工藝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及工業(yè)生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種單晶硅連續(xù)生產(chǎn)結(jié)晶加料設(shè)備及工藝。
背景技術(shù)
單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素,具有金剛石晶格,晶體硬而脆,具有金屬光澤,能導(dǎo)電,但導(dǎo)電率不及金屬,且隨著溫度升高而增加,具有半導(dǎo)體性質(zhì),是晶體材料的重要組成部分,處于新材料發(fā)展的前沿;單晶硅可以用于二極管級、整流器件級、電路級以及太陽能電池級單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造,其后續(xù)產(chǎn)品集成電路和半導(dǎo)體分離器件已廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域;在光伏技術(shù)和微小型半導(dǎo)體逆變器技術(shù)飛速發(fā)展的今天,利用硅單晶所生產(chǎn)的太陽能電池可以直接把太陽能轉(zhuǎn)化為光能,實(shí)現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開始。
目前,公司單晶車間已經(jīng)全部實(shí)行了二次加料,但在加料過程中濺硅一直困擾著整著光伏行業(yè),因?yàn)闉R硅極易導(dǎo)致不好成晶,浪費(fèi)了時間和人力,甚至?xí)驗(yàn)R硅導(dǎo)致整爐硅料拉不出來吊多晶的情況,增加了浪費(fèi)成本的風(fēng)險(xiǎn)。因此我們對此做出改進(jìn),提出一種單晶硅連續(xù)生產(chǎn)結(jié)晶加料設(shè)備及工藝。
發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的單晶車間在二次加料過程中會伴有濺硅的缺陷,本發(fā)明提供一種單晶硅連續(xù)生產(chǎn)結(jié)晶加料設(shè)備及工藝。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了如下的技術(shù)方案:
本發(fā)明一種單晶硅連續(xù)生產(chǎn)結(jié)晶加料設(shè)備及工藝,包括爐體、水冷管、爐蓋、石英坩堝和二次加料裝置,所述爐體的頂端設(shè)有用于密封的爐蓋,所述爐蓋的中部穿插設(shè)有用于加料的二次加料裝置,所述爐體的內(nèi)部設(shè)有盛放硅料的石英坩堝,所述石英坩堝的外側(cè)設(shè)有用于加熱融化硅料的加熱板,所述加熱板的外側(cè)設(shè)有用于冷卻融化后硅料的水冷管,所述水冷管的兩端分別與兩個連接管的一端相通,兩個所述連接管的另一端均穿過爐體的側(cè)壁,其中一個所述連接管上設(shè)有電磁閥,所述石英坩堝的底端固定設(shè)有用于支撐的托盤,所述托盤的底端通過連接軸與電機(jī)的轉(zhuǎn)軸固定連接,所述爐體上設(shè)有控制箱,所述控制箱上分別嵌設(shè)有轉(zhuǎn)動開關(guān)、加熱開關(guān)和冷卻開關(guān),所述電機(jī)與轉(zhuǎn)動開關(guān)電性連接,所述加熱板與加熱開關(guān)電性連接,所述電磁閥與冷卻開關(guān)電性連接,所述轉(zhuǎn)動開關(guān)、加熱開關(guān)和冷卻開關(guān)均與外接電源電性連接。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述二次加料裝置由連接塊、活動桿、擋板和套筒組成,所述套筒與爐蓋的中部穿插連接,所述套筒的頂部和底部分別設(shè)有連接塊和擋板,所述擋板的一端與套筒底端的一側(cè)通過鉸鏈活動連接,所述擋板的另一端通過活動桿與連接塊的一側(cè)固定連接。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述套筒的邊側(cè)固定設(shè)有法蘭調(diào)節(jié)軌道,且套筒上套設(shè)有固定法蘭,所述固定法蘭的底端與爐蓋的頂端固定連接,所述固定法蘭的邊側(cè)開設(shè)有開孔,所述開孔的孔徑與法蘭調(diào)節(jié)軌道上槽口的孔徑相匹配設(shè)置。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,與所述水冷管一端連接的連接管與外接水源連接,與所述水冷管另一端連接的連接管與排水管道連接。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,包括以下步驟;
S1:上料;
S2:加熱融化;
S3:冷卻降溫;
S4:二次加料。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述S1步驟包括打開爐蓋向石英坩堝內(nèi)放入單晶硅料,且向套筒內(nèi)加入需要二次加料的單晶硅料,然后蓋上爐蓋。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述S2步驟包括打開轉(zhuǎn)動開關(guān)和加熱開關(guān)使得電機(jī)和加熱板工作,加熱板工作會將單晶硅料加熱融化,電機(jī)的工作會使得石英坩堝勻速轉(zhuǎn)動,進(jìn)而使得石英坩堝內(nèi)的單晶硅料均勻加熱融化。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述S3步驟包括關(guān)閉加熱開關(guān)使得加熱板停止工作,同時打開冷卻開關(guān)使得電磁閥導(dǎo)通,進(jìn)而使得外接冷卻水源源不斷經(jīng)過水冷管,進(jìn)而使得爐體內(nèi)部環(huán)境降溫,即使得石英坩堝內(nèi)的單晶硅料結(jié)晶。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述S4步驟包括按下連接塊使得擋板打開,進(jìn)而可以使得套筒內(nèi)的單晶硅料倒入石英坩堝內(nèi),完成二次加料操作。
本發(fā)明的有益效果是:該種單晶硅連續(xù)生產(chǎn)結(jié)晶加料設(shè)備及工藝,通過在加料前通過降溫度讓爐內(nèi)硅料結(jié)晶,形成固體,加料時將固體硅料加到爐內(nèi)的結(jié)晶固體上,從而達(dá)到避免硅料濺到其他石墨件上的風(fēng)險(xiǎn),為后續(xù)拉晶創(chuàng)造合適條件。
附圖說明
附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解,并且構(gòu)成說明書的一部分,與本發(fā)明的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明,并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
圖1是本發(fā)明一種單晶硅連續(xù)生產(chǎn)結(jié)晶加料設(shè)備及工藝的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明一種單晶硅連續(xù)生產(chǎn)結(jié)晶加料設(shè)備及工藝的水冷管結(jié)構(gòu)示意圖;
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