[發(fā)明專利]一種垂直型接觸孔的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710971861.8 | 申請日： | 2017-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN107706147B | 公開（公告）日： | 2020-05-12 |
| 發(fā)明（設計）人： | 謝巖 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 垂直 接觸 制備 方法 | ||
1.一種垂直型接觸孔的制備方法，其特征在于，包括：
步驟S1，提供一襯底，所述襯底包括依次層疊的刻蝕停止層以及待刻蝕層；
步驟S2，采用一第一刻蝕工藝刻蝕所述待刻蝕層，以形成延伸至所述刻蝕停止層的上表面的至少一個錐形通孔；
步驟S3，采用一第二刻蝕工藝刻蝕所述錐形通孔，將所述錐形通孔拓寬為垂直通孔；
步驟S4，填充所述垂直通孔形成垂直型接觸孔。
2.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，完成所述第一刻蝕工藝的刻蝕機臺采用的直流電壓為300～400V。
3.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，完成所述第二刻蝕工藝的刻蝕機臺采用的直流電壓為100～200V。
4.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，完成所述第一刻蝕工藝采用的氣體為八氟環(huán)丁烷，或四氟化碳，或氬氣，或氧氣。
5.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，完成所述第二刻蝕工藝采用的氣體為八氟環(huán)丁烷，或四氟化碳，或氬氣，或氧氣。
6.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，完成所述第一刻蝕工藝的刻蝕機臺采用的最低射頻功率為1000～1500W。
7.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，完成所述第二刻蝕工藝的刻蝕機臺采用的最低射頻功率為1000～1500W。
8.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，完成所述第一刻蝕工藝的刻蝕機臺采用的最高射頻功率為5000～13000W。
9.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，完成所述第二刻蝕工藝的刻蝕機臺采用的最高射頻功率為5000～13000W。
10.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，完成所述第一刻蝕工藝和所述第二刻蝕工藝的壓力為40～50mTorr。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
