[發明專利]一種納米光電材料制備方法

在審

• 申請號: 201710971128.6
• 申請日: 2017-10-18
• 公開（公告）號: CN107699858A
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發明（設計）人: 方澤波;潘小杰
• 申請（專利權）人: 蘇州貝龍光電科技有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/16;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種納米光電材料制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

S1、制備材料的準備，加熱箱、真空泵、氣泵、陽極金屬板、陰極金屬板、電源和惰性氣體等；

S2、真空加熱，將陽極金屬板和陰極金屬板放入加熱箱內，使用真空泵抽出加熱箱內的空氣，形成真空加熱箱；

S3、充氣，在步驟S2中將加熱箱內的氣體抽出形成真空后，將加熱箱的內部利用氣泵充入惰性氣體，密封；

S4、通電，通過電源使得陽極金屬板和陰極金屬板通電，得出超微粒子，陽極金屬板和陰極金屬板通電反應原理如圖1所示；

S5、收集納米光電材料，斷開電源，停止加熱，對真空加熱箱泄壓，使用刮板將陰極金屬板內的超微粒子，得出成品。

2.根據權利要求1所述的一種納米光電材料制備方法，其特征在于：所述步驟S1中的加熱箱包括觀察口、壓力表、泄壓閥和加熱裝置，所述步驟S1中的加熱裝置采用電阻加熱裝置。

3.根據權利要求1所述的一種納米光電材料制備方法，其特征在于：所述步驟S2中加熱箱加熱溫度為八十攝氏度至一百攝氏度之間。

4.根據權利要求1所述的一種納米光電材料制備方法，其特征在于：所述步驟S3中的陽極金屬板和陰極金屬板以加熱箱的中心線為對稱線呈對稱分布，所述步驟S3中的惰性氣體包括氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣和氡氣等，所述步驟S3中使用的惰性氣體為氬氣，所述步驟S3中的氬氣氣壓為40～250Pa。

5.根據權利要求1所述的一種納米光電材料制備方法，其特征在于：所述步驟S4中的通電電壓為0.3-1.5KV，所述步驟S4中得出的超微粒子固體顆粒比表面積與其粒徑的關系可由下式表示：Sw=K/ρD；

式中 Sw———粒子的比表面積；

K———形狀因子(球形和立方體粒子的K 為6)；

ρ———粒子的理論密度；

D———粒子的平均直徑；

另外能級間距與金屬顆粒直徑之間的關系如公式：δ=EF/3N；

式中δ———能級間距；

EF———費米能級；

N———總電子數；

同時隨著靶材的表面積越大，原子的蒸發速率越大，所得出的超微粒子的獲得量越多。