[發明專利]微元件的巨量排列方法及系統有效
| 申請號: | 201710970476.1 | 申請日: | 2017-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN109671670B | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發明(設計)人: | 陳杰 | 申請(專利權)人: | 行家光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L25/075;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 元件 巨量 排列 方法 系統 | ||
1.一種微元件排列方法,包含:
使復數個微元件懸浮于液體,其中,所述微元件沿著一第一方向是以一第一方向初始間距相間隔及沿著一第二方向是以一第二方向初始間距相間隔,該第一方向與該第二方向相互垂直;
使懸浮于該液體的所述微元件相接近,使得所述微元件沿著該第一方向是以一第一方向目標間距相間隔及沿著該第二方向是以一第二方向目標間距相間隔,其中,該第一方向目標間距及該第二方向目標間距小于相對應的該第一方向初始間距及該第二方向初始間距;以及
使相接近的所述微元件設置于一承載基板上、并維持該第一方向目標間距及該第二方向目標間距相間隔排列。
2.根據權利要求1所述的微元件排列方法,更包含:
提供一導線組件,其中該導線組件包含沿著該第一方向的復數個第一導線以及沿著該第二方向的復數個第二導線,該導線組件另定義有復數個網格,所述網格的每一個是由所述第一導線的相鄰兩個及所述第二導線的相鄰兩個圍繞而形成;
使所述微元件分別位于該導線組件的所述網格中;
對所述第一導線施加電流,以使所述第一導線產生磁場而相接近,使得所述微元件沿著該第二方向相接近;以及
對所述第二導線施加電流,以使所述第二導線產生磁場而相接近,使得所述微元件沿著該第一方向相接近。
3.根據權利要求2所述的微元件排列方法,其中,于所述微元件分別位于該導線組件的所述網格中之后,再使所述微元件懸浮于該液體。
4.根據權利要求2所述的微元件排列方法,其中,于所述微元件懸浮于該液體之后,再使所述微元件分別位于該導線組件的所述網格中。
5.根據權利要求1至4的任一項所述的微元件排列方法,其中,使所述微元件懸浮于該液體的該步驟中,更包含:
將所述微元件設置于一暫時承載板上,且所述微元件是以沿著該第一方向以該第一方向初始間距相間隔排列,及是以沿著該第二方向以該第二方向初始間距相間隔排列;
使該液體覆蓋該暫時承載板;以及
使所述微元件脫離該暫時承載板而懸浮于該液體。
6.根據權利要求5所述的微元件排列方法,其中,所述微元件是膠黏于該暫時承載板上、或被吸附于該暫時承載板上。
7.根據權利要求1至4的任一項所述的微元件排列方法,其中,所述微元件的每一個包含一LED晶片,該LED晶片包含一上表面、一下表面及一電極組,該電極組設置于該下表面。
8.根據權利要求7所述的微元件排列方法,其中,所述微元件的每一個更包含一輔助結構,該輔助結構設置于該LED晶片的該上表面,且該輔助結構的密度小于該LED晶片的密度。
9.根據權利要求8所述的微元件排列方法,其中,該輔助結構包含一磁性材料;其中,使所述微元件懸浮于該液體的該步驟中,更包含:施加一磁場,以磁化所述微元件的所述輔助結構,使得所述微元件沿著該第一方向及該第二方向彼此產生斥力而以該第一方向初始間距及第二方向初始間距相間隔。
10.根據權利要求8所述的微元件排列方法,其中,使所述微元件懸浮于該液體的該步驟中,更包含:施加一電場,使所述微元件的所述輔助結構產生靜電感應,使得所述微元件沿著該第一方向及該第二方向彼此產生斥力而以該第一方向初始間距及該第二方向初始間距相間隔。
11.根據權利要求10所述的微元件排列方法,其中,該輔助結構包含一易產生靜電感應材料。
12.根據權利要求8所述的微元件排列方法,更包含:移除所述微元件的所述輔助結構。
13.根據權利要求1至4的任一項所述的微元件排列方法,其中,使相接近的所述微元件設置于該承載基板上的該步驟中,包含:將該承載基板放置于所述微元件的下方;以及泄除該液體,以使所述微元件下降至該承載基板上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





