[發(fā)明專利]在襯底上生長(zhǎng)GaN平面納米線的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710969739.7 | 申請(qǐng)日： | 2017-10-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107881554A | 公開（公告）日： | 2018-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 伊?xí)匝?/a>;伍紹騰;劉志強(qiáng);黃洋;程成;王蘊(yùn)玉;綦成林 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號(hào)： | C30B25/02 | 分類號(hào)： | C30B25/02;C30B29/38;C30B29/60;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021 | 代理人： | 湯寶平 |
| 地址： | 100083 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 襯底 生長(zhǎng) gan 平面 納米 方法 | ||
1.一種在襯底上生長(zhǎng)GaN平面納米線的方法，包括如下步驟：
步驟1：將襯底放入有機(jī)溶液中超聲清洗；
步驟2：在清洗的襯底上蒸鍍一層金屬薄膜；
步驟3：把蒸鍍有金屬薄膜的襯底倒立放在反應(yīng)爐的托盤上，在襯底與托盤之間形成狹縫；
步驟4：提升反應(yīng)爐溫度，通入反應(yīng)氣源，在襯底上生長(zhǎng)平面的GaN納米線；
步驟5：關(guān)閉氣源，將溫度降至室溫，完成GaN平面納米線的制備。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在襯底上生長(zhǎng)GaN平面納米線的方法，其中襯底的材料為Si、Al2O3、SiC或GaN。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在襯底上生長(zhǎng)GaN平面納米線的方法，其中所述的有機(jī)溶液為丙酮和乙醇。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在襯底上生長(zhǎng)GaN平面納米線的方法，其中蒸鍍的金屬薄膜為Au、Ni、Au、Al、Fe或Pt，或及其組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的在襯底上生長(zhǎng)GaN平面納米線的方法，其中所述的金屬薄膜的厚度為0.2nm-20nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在襯底上生長(zhǎng)GaN平面納米線的方法，其中所述的倒立襯底是指把蒸有金屬薄膜的一面貼近反應(yīng)爐中的托盤。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的在襯底上生長(zhǎng)GaN平面納米線的方法，其中所述的襯底與托盤之間的狹縫為0.1mm-5mm，該狹縫的形成是通過(guò)在襯底與托盤之間添加耐高溫的支撐物，或者使用非平整的托盤，目的是為了讓少量的反應(yīng)源能夠輸入到襯底金屬薄膜的一面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在襯底上生長(zhǎng)GaN平面納米線的方法，其中所述的提升反應(yīng)爐的溫度為300-1200℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在襯底上生長(zhǎng)GaN平面納米線的方法，其中所述的反應(yīng)源是，使用MOCVD通入的反應(yīng)氣源為TMGa和NH3，使用HVPE通入的反應(yīng)氣源為HCl和NHa。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的在襯底上生長(zhǎng)GaN平面納米線的方法，其中通入反應(yīng)氣源的時(shí)間為：3-100分鐘。
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