[發(fā)明專利]高效率有機(jī)發(fā)光二極管元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710969553.1
• 申請(qǐng)日: 2017-10-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109686847B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周卓煇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 周卓煇
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 王玉雙;李巖

1.一種高效率有機(jī)發(fā)光二極管元件，其特征在于，包括：

一陽(yáng)極基板；

一空穴傳輸層，形成于該陽(yáng)極基板之上；

一第一發(fā)光層，形成于該空穴傳輸層之上；

一電子傳輸層，形成于該第一發(fā)光層之上；及

一陰極層，形成于該電子傳輸層之上；

其中，該空穴傳輸層、該第一發(fā)光層與該電子傳輸層滿足以下條件：

(1)該第一發(fā)光層的LUMO能階低于該空穴傳輸層的LUMO能階，且該第一發(fā)光層的HOMO能階深于該空穴傳輸層的HOMO能階；

(2)該電子傳輸層的LUMO能階低于該第一發(fā)光層的LUMO能階，且該電子傳輸層的HOMO能階深于該第一發(fā)光層的HOMO能階；以及

(3)該電子傳輸層的電子遷移率高于該第一發(fā)光層的電子遷移率；

其中，當(dāng)該空穴傳輸層、該第一發(fā)光層與該電子傳輸層同時(shí)滿足該條件(1)與該條件(2)之時(shí)，在固定該空穴傳輸層與該第一發(fā)光層的電子遷移率的情況下，電子與空穴于該第一發(fā)光層之中的復(fù)合率(Recombination rate)隨著該電子傳輸層的電子遷移率的提升而增加，且該第一發(fā)光層之中的電子與空穴的復(fù)合分率(Recombination fraction)大于0.6；

其中，當(dāng)電子傳輸層的電子遷移率被提升至大于第一發(fā)光層的電子遷移率兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上，則電子與空穴于第一發(fā)光層之中的復(fù)合率增加至少6倍。

2.如權(quán)利要求1所述的高效率有機(jī)發(fā)光二極管元件，其特征在于，更包括：

一空穴注入層，形成于該陽(yáng)極基板與該空穴傳輸層之間；以及

一電子注入層，形成于該電子傳輸層與該陰極層之間。

3.如權(quán)利要求1所述的高效率有機(jī)發(fā)光二極管元件，其特征在于，更包括：

至少一客體染料，摻雜于該第一發(fā)光層之中。

4.如權(quán)利要求1所述的高效率有機(jī)發(fā)光二極管元件，其特征在于，更包括：

至少一第二發(fā)光層，連接該第一發(fā)光層；其中，該第二發(fā)光層位于該第一發(fā)光層與該電子傳輸層之間，或位于該第一發(fā)光層與該空穴傳輸層之間。

5.如權(quán)利要求1所述的高效率有機(jī)發(fā)光二極管元件，其特征在于，更包括：

一界面層，形成于該電子傳輸層與該陰極層之間，用以于所述高效率有機(jī)發(fā)光二極管元件被外加電壓之時(shí)，提升該電子傳輸層的跨壓。

6.如權(quán)利要求1所述的高效率有機(jī)發(fā)光二極管元件，其特征在于，該陽(yáng)極基板為一透明導(dǎo)電基板。

7.如權(quán)利要求4所述的高效率有機(jī)發(fā)光二極管元件，其特征在于，更包括：

一載子平衡層，形成于該第一發(fā)光層與該第二發(fā)光層之間。

8.如權(quán)利要求5所述的高效率有機(jī)發(fā)光二極管元件，其特征在于，該界面層的工藝材料可為下列任一者：B3PyPB、TmPyPB或BCP。

9.如權(quán)利要求7所述的高效率有機(jī)發(fā)光二極管元件，其特征在于，該載子平衡層由一空穴平衡材料及/或一電子平衡材料所制成。

10.如權(quán)利要求9所述的高效率有機(jī)發(fā)光二極管元件，其特征在于，該空穴平衡材料可為下列任一者：MeO-TPD、F4TCNQ(P3HT):F4TCNQ、或(m-MTDATA):F4TCNQ；并且，該電子平衡材料可為下列任一者：(BPhen):Cs、Cs₂CO₃:BPhen、或(TPBi):Cs₂CO₃。

11.如權(quán)利要求9所述的高效率有機(jī)發(fā)光二極管元件，其特征在于，該電子平衡材料可為下列任一者：(BPhen):Cs、Cs₂CO₃:BPhen、或(TPBi):Cs₂CO₃。