[發明專利]封裝結構有效
| 申請號: | 201710968557.8 | 申請日: | 2017-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN109683236B | 公開(公告)日: | 2020-09-01 |
| 發明(設計)人: | 李冰;辛田 | 申請(專利權)人: | 上海信及光子集成技術有限公司 |
| 主分類號: | G02B6/12 | 分類號: | G02B6/12 |
| 代理公司: | 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 張東梅;林高鋒 |
| 地址: | 200437 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 結構 | ||
1.一種封裝結構,包括:
芯片;
封裝管殼,所述封裝管殼包括管殼底座,所述芯片位于所述管殼底座頂面上方;
應力調節結構,所述應力調節結構設置在所述芯片和所述管殼底座之間,
其中所述管殼底座頂面上具有一個或多個第一槽,所述芯片設置在第一槽上并且在邊緣處由管殼底座進行支撐,所述應力調節結構通過粘合層固定在所述第一槽內,形成復合管殼底座,所述復合管殼底座的熱膨脹系數Alpha=(alpha1*E1*v1+alpha2*E2*v2)/(E1*v1+E2*v2),其中Alpha1,E1,v1分別為管殼底座的熱膨脹系數、彈性模量和體積百分比;Alpha2,E2,v2為應力調節結構的熱膨脹系數、彈性模量和體積百分比,
其中通過調節第一槽的寬度和深度、應力調節結構的熱膨脹系數和彈性模量、粘合層熱膨脹系數和彈性模量,調節在溫度變化下復合管殼底座對芯片內造成的熱應力。
2.如權利要求1所述封裝結構,其特征在于,所述芯片、管殼底座以及應力調節結構不直接接觸。
3.如權利要求1所述封裝結構,其特征在于,所述芯片通過粘合層與管殼底座和/或應力調節結構連接。
4.如權利要求1所述封裝結構,其特征在于,所述管殼底座與所述應力調節結構構成的組合結構的平均熱膨脹系數與所述芯片的熱膨脹系數基本相同。
5.如權利要求1所述封裝結構,其特征在于,所述芯片和所述應力調節結構之間具有間隙。
6.如權利要求5所述封裝結構,其特征在于,所述應力調節結構具有孔,所述孔將所述間隙與所述封裝管殼內部空間連通。
7.如權利要求1所述封裝結構,其特征在于,所述管殼底座還具有設置在應力調節結構下方的第二槽,其中所述第二槽的面積小于所述應力調節結構的面積。
8.如權利要求1所述封裝結構,其特征在于,在所述芯片與所述管殼底座相對連接面上,具有多個分立的連接點,所述芯片在所述連接點處通過粘合層固定到所述管殼底座。
9.如權利要求1所述封裝結構,其特征在于,所述封裝管殼和所述管殼底座由同一種材料形成。
10.如權利要求1所述封裝結構,其特征在于,所述封裝管殼和所述管殼底座的熱膨脹系數大于芯片的熱膨脹系數,而所述應力調節結構的熱膨脹系數小于芯片的熱膨脹系數。
11.如權利要求1所述封裝結構,其特征在于,所述封裝管殼和所述管殼底座由鋁或可伐合金形成。
12.如權利要求1所述封裝結構,其特征在于,所述應力調節結構由二氧化硅形成。
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