[發明專利]發光二極管及其制作方法以及顯示裝置

有效

• 申請號: 201710965441.9
• 申請日: 2017-10-17
• 公開（公告）號: CN109671826B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 鮑里斯.克里斯塔爾
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/40;H01L33/00;B82Y30/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種發光二極管，包括：

第一電極；

有源層，設置在所述第一電極上；以及

第二電極，設置在所述有源層遠離所述第一電極的一側，

其中，所述第二電極包括沿遠離所述有源層的方向上依次設置的第一導電層和第二導電層，所述第一導電層包括多個微孔，所述第二導電層包括多個導電納米顆粒，至少部分所述導電納米顆粒通過所述多個微孔與所述有源層相接觸，

所述第一導電層的厚度小于10納米，以在所述第一導電層中形成所述多個微孔，所述多個導電納米顆粒經過熱退火處理形成。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述第一導電層的厚度小于10納米。

3.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述第一電極包括反射電極，所述第二電極包括半透明電極。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的發光二極管，其中，所述有源層包括沿遠離所述第一電極的方向上依次設置的空穴傳輸層，發光層以及電子傳輸層。

5.根據權利要求4所述的發光二極管，其中，所述發光層包括量子點發光層。

6.根據權利要求1-3中任一項所述的發光二極管，還包括：

覆蓋層，設置在所述第二電極遠離所述有源層的一側，所述覆蓋層包括介電材料，所述介電材料在直流或低頻電流下可導電，在頻率范圍在3.0e+14Hz至3.0e+15Hz的振蕩電場下呈現介電性能。

7.根據權利要求6所述的發光二極管，其中，所述介電材料包括氧化銦鋅、氧化銦錫、或有機半導體材料。

8.根據權利要求1-3中任一項所述的發光二極管，還包括：

襯底基板，設置在所述第一電極遠離所述有源層的一側。

9.根據權利要求1-3中任一項所述的發光二極管，其中，所述第二導電層的厚度范圍在10-15納米。

10.根據權利要求1-3中任一項所述的發光二極管，其中，所述第一導電層的材料包括鋁。

11.根據權利要求1-3中任一項所述的發光二極管，其中，所述第二導電層的材料包括銀。

12.一種發光二極管的制作方法，包括：

形成第一電極；

在所述第一電極上形成有源層；以及

在所述有源層遠離所述第一電極的一側形成第二電極，

其中，所述第二電極包括沿遠離所述有源層的方向上依次設置的第一導電層和第二導電層，所述第一導電層包括多個微孔，所述第二導電層包括多個導電納米顆粒，至少部分所述導電納米顆粒通過所述多個微孔與所述有源層相接觸，

所述在所述有源層遠離所述第一電極的一側形成第二電極包括：

在所述有源層遠離所述第一電極的一側形成第一金屬層以形成所述第一導電層，所述第一導電層的厚度小于10納米從而在所述第一導電層中形成多個微孔；

在所述第一導電層遠離所述有源層的一側形成第二金屬層；以及

對所述第二金屬層進行熱退火處理以將所述第二金屬層轉變為包括多個所述導電納米顆粒的所述第二導電層。

13.根據權利要求12所述的發光二極管的制作方法，其中，所述熱退火處理的溫度范圍在120-180攝氏度，所述熱退火處理的時間范圍在20-80分鐘。

14.根據權利要求12所述的發光二極管的制作方法，其中，所述熱退火處理在真空環境下或氮氣環境下進行。

15.根據權利要求12-14中任一項所述的發光二極管的制作方法，其中，所述第一導電層的材料包括鋁。