[發明專利]柔性OLED面板的封裝方法及封裝結構

有效

• 申請號: 201710964820.6
• 申請日: 2017-10-17
• 公開（公告）號: CN107785501B
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發明（設計）人: 楊中國;李金川
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 44265 深圳市德力知識產權代理事務所
• 代理人: 林才桂

1.一種柔性OLED面板的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、提供TFT基板(100)，在所述TFT基板(100)上制作OLED器件(200)；

步驟S2、在所述TFT基板(100)上形成覆蓋OLED器件(200)的第一無機阻擋層(310)；

步驟S3、在所述第一無機阻擋層(310)上形成一液態金屬層(400)；

步驟S4、利用氧氣對所述液態金屬層(400)進行氧化處理，在所述液態金屬層(400)表面形成液態金屬氧化膜(500)；

步驟S5、在所述第一無機阻擋層(310)上形成覆蓋液態金屬氧化膜(500)的有機緩沖層(600)；

步驟S6、在所述第一無機阻擋層(310)上形成覆蓋有機緩沖層(600)的第二無機阻擋層(320)；

所述液態金屬層(400)的材料為銦和鎵構成的二元共晶合金；

所述步驟S3中，在氮氣的環境中，通過噴墨打印的方式形成所述液態金屬層(400)；

所述步驟S2中，通過低溫等離子體增強化學氣相沉積的方式形成所述第一無機阻擋層(310)；

所述步驟S5中，通過噴墨打印的方式形成所述有機緩沖層(600)；

所述步驟S5之后還包括一對所述有機緩沖層(600)進行固化的步驟；

所述步驟S6中，通過低溫等離子體增強化學氣相沉積的方式形成所述第二無機阻擋層(320)；

所述第二無機阻擋層(320)覆蓋的區域與所述第一無機阻擋層(310)覆蓋的區域相同；

所述第一無機阻擋層(310)及第二無機阻擋層(320)均為氮化硅層、氧化硅層、或氮氧化硅層。

2.如權利要求1所述的柔性OLED面板的封裝方法，其特征在于，所述TFT基板(100)為柔性TFT基板。

3.如權利要求1所述的柔性OLED面板的封裝方法，其特征在于，所述銦和鎵構成的二元共晶合金中銦與鎵的質量比為1:3。

4.一種柔性OLED面板的封裝結構，其特征在于，包括：TFT基板(100)、設于所述TFT基板(100)上的OLED器件(200)、設于所述TFT基板(100)上且覆蓋OLED器件(200)的第一無機阻擋層(310)、設于所述第一無機阻擋層(310)上的液態金屬層(400)、覆蓋所述液態金屬層(400)表面的液態金屬氧化膜(500)、設于所述第一無機阻擋層(310)上且覆蓋液態金屬氧化膜(500)的有機緩沖層(600)、以及設于所述第一無機阻擋層(310)上且覆蓋有機緩沖層(600)的第二無機阻擋層(320)；

所述液態金屬層(400)的材料為銦和鎵構成的二元共晶合金；

所述液態金屬層(400)通過噴墨打印的方式在氮氣的環境中制成；

所述第二無機阻擋層(320)覆蓋的區域與所述第一無機阻擋層(310)覆蓋的區域相同；

所述第一無機阻擋層(310)及第二無機阻擋層(320)均為氮化硅層、氧化硅層、或氮氧化硅層。

5.如權利要求4所述的柔性OLED面板的封裝結構，其特征在于，所述TFT基板(100)為柔性TFT基板。

6.如權利要求4所述的柔性OLED面板的封裝結構，其特征在于，所述銦和鎵構成的二元共晶合金中銦與鎵的質量比為1:3。