[發(fā)明專利]一種高壓IGBT襯板絕緣方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710963741.3
• 申請(qǐng)日: 2017-10-17
• 公開（公告）號(hào): CN109671633A
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮會(huì)雨;程崛;馮加云;曾雄;賀新強(qiáng);韓星堯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56
• 代理公司: 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;王浩

1.一種高壓IGBT襯板絕緣方法，其特征在于，對(duì)所述襯板上的電場(chǎng)強(qiáng)度集中區(qū)域涂覆高絕緣膠水以對(duì)襯板進(jìn)行絕緣保護(hù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓IGBT襯板絕緣方法，其特征在于，所述高絕緣膠水的涂覆位置為所述襯板上金屬層與襯板的交界處區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓IGBT襯板絕緣方法，其特征在于，包括步驟：

a.對(duì)襯板進(jìn)行等離子清洗；

b.對(duì)襯板上金屬層邊緣毛刺處涂覆高絕緣膠水進(jìn)行絕緣保護(hù)；

c.對(duì)涂覆了高絕緣膠水的襯板進(jìn)行抽真空處理，以避免形成的高絕緣膠水保護(hù)層產(chǎn)生氣泡；

d.待高絕緣膠水保護(hù)層固化后，對(duì)襯板進(jìn)行引線鍵合等工序，焊接引線與芯片；

e.進(jìn)行硅膠灌注。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓IGBT襯板絕緣方法，其特征在于，包括步驟：

a.對(duì)襯板進(jìn)行等離子清洗；

b.對(duì)襯板焊接引線與芯片；

c.對(duì)襯板上金屬層邊緣毛刺處涂覆高絕緣膠水進(jìn)行絕緣保護(hù)；

d.對(duì)涂覆了高絕緣膠水的襯板進(jìn)行抽真空處理，以避免形成的高絕緣膠水保護(hù)層產(chǎn)生氣泡；

e.待高絕緣膠水保護(hù)層固化后，進(jìn)行硅膠灌注。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一權(quán)利要求所述的高壓IGBT襯板絕緣方法，其特征在于，所述高絕緣膠水在所述襯板上形成的高絕緣膠水保護(hù)層沒(méi)有氣泡。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一權(quán)利要求所述的高壓IGBT襯板絕緣方法，其特征在于，所述高絕緣膠水保護(hù)層與所述襯板上金屬層之間以及所述高絕緣膠水保護(hù)層與所述襯板之間均具有良好的粘結(jié)力。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一權(quán)利要求所述的高壓IGBT襯板絕緣方法，其特征在于，所述高絕緣膠水為聚酰亞胺膠、硅膠、硅橡膠或環(huán)氧樹脂中的一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一權(quán)利要求所述的高壓IGBT襯板絕緣方法，其特征在于，所述襯板為氮化鋁陶瓷、氧化鋁陶瓷或氮化硅陶瓷中的一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一權(quán)利要求所述的高壓IGBT襯板絕緣方法，其特征在于，所述金屬層為銅、鋁、鉬、鎢中的一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求3或權(quán)利要求4所述的高壓IGBT襯板絕緣方法，其特征在于，在涂覆高絕緣膠水前，將襯板的上金屬層內(nèi)縮，以增加涂覆高絕緣膠水保護(hù)層的面積。