[發明專利]一種石墨烯缺陷的檢測方法有效
| 申請號： | 201710963532.9 | 申請日： | 2017-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN107764849B | 公開（公告）日： | 2019-09-17 |
| 發明（設計）人： | 鄭紹輝;邱梧柯 | 申請（專利權）人： | 西南大學 |
| 主分類號： | G01N24/08 | 分類號： | G01N24/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 趙青朵 |
| 地址： | 400715*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 石墨 缺陷 檢測 方法 | ||
1.一種石墨烯缺陷的檢測方法，其特征在于，包括：
1)將待測的石墨烯通過核磁共振進行檢測，得到石墨烯中化學位移大于120.09的各個碳的化學位移；
2)將步驟1中得到的化學位移大于120.09的各個碳的化學位移進行標準差計算，得到標準差；
3)當步驟2)得到的標準差為4.84～8.44時，待測的石墨烯為雙空位缺陷，
當步驟2)得到的標準差為5.93～8.90時，待測的石墨烯為拓撲缺陷，
當步驟2)得到的標準差為50.37～84.05時，待測的石墨烯為單空位缺陷。
2.根據權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述步驟3)中單空位缺陷的標準差為50.37～84.05的檢測結果按照以下方法得到：
3-a-1)得到具有式(P-1)和式(P-2)所示球棍模型的完美石墨烯中的各個碳原子的化學位移值，
3-a-2)得到具有式(SV-1)和式(SV-2)所示球棍模型的單空位缺陷石墨烯中的各個碳原子的化學位移值，
3-a-3)通過步驟3-a-1)中得到的各個完美石墨烯中的碳的化學位移值以及步驟3-a-2)得到的單空位缺陷石墨烯中的各個碳原子的化學位移值得到單空位缺陷處碳原子的標準差為50.37～84.05。
3.根據權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述步驟3)中拓撲缺陷的標準差為5.93～8.90的檢測結果按照以下方法得到：
3-b-1)得到具有式(P-1)和式(P-2)所示球棍模型的完美石墨烯中各個碳原子的化學位移值，
3-b-2)得到具有式(SW-1)和式(SW-2)所示球棍模型的拓撲缺陷石墨烯中的各個碳原子的化學位移值，
3-b-3)通過步驟3-b-1)中得到的各個完美石墨烯中的碳的化學位移值以及步驟3-b-2)得到的拓撲缺陷石墨烯中的各個碳原子的化學位移值得到拓撲缺陷處碳原子的標準差為5.93～8.90。
4.根據權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述步驟3)中雙空位缺陷的標準差為4.84～8.44的檢測結果按照以下方法得到：
3-c-1)得到具有式(P-1)和式(P-2)所示球棍模型的完美石墨烯中各個碳原子的化學位移值，
3-c-2)得到具有式(DV-1)和式(DV-2)所示球棍模型的雙空位缺陷石墨烯中的各個碳原子的化學位移值，
3-c-3)通過步驟3-c-1)中得到的各個完美石墨烯中的碳的化學位移值以及步驟3-c-2)得到的雙空位缺陷石墨烯中的各個碳原子的化學位移值得到雙空位缺陷處碳原子的標準差為4.84～8.44。
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