[發明專利]半導體裝置及其制造方法有效
| 申請號： | 201710963350.1 | 申請日： | 2017-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN107968076B | 公開（公告）日： | 2020-09-22 |
| 發明（設計）人： | 青池將之;黑川敦;小林敦 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 趙琳琳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，具備：半導體基板；半導體元件，形成在所述半導體基板；以及鈍化膜，保護所述半導體元件，其特征在于，
所述鈍化膜交替地層疊產生壓縮應力的密度低的第一絕緣膜和產生壓縮應力的密度高的第二絕緣膜而形成，
在最靠近所述半導體基板的最下層配置有所述第一絕緣膜，
所述第一絕緣膜的壓縮應力小于在所述半導體基板側產生的壓縮應力，
在所述半導體基板形成有半導體層、絕緣膜層、有機物層以及金屬層，
所述鈍化膜覆蓋這些半導體層、絕緣膜層、有機物層以及金屬層而形成在所述半導體基板。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜使用硅氮化膜、硅氧化膜、硅氮氧化膜中的任一者來形成。
3.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有：
在半導體基板上形成交替地層疊了產生壓縮應力的密度低的第一絕緣膜和產生壓縮應力的密度高的第二絕緣膜的鈍化膜的工序，
在所述工序中，在最靠近所述半導體基板的最下層配置所述第一絕緣膜，
所述第一絕緣膜的壓縮應力小于在所述半導體基板側產生的壓縮應力，
在所述半導體基板上，在形成所述鈍化膜之前，形成半導體層、絕緣膜層、有機物層以及金屬層，
所述鈍化膜覆蓋這些半導體層、絕緣膜層、有機物層以及金屬層而形成在所述半導體基板。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
所述金屬層通過蒸鍍或電鍍而形成。
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