[發明專利]靜態隨機存取存儲器單元陣列及其形成方法

有效

• 申請號: 201710963096.5
• 申請日: 2017-10-17
• 公開（公告）號: CN109148451B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 黃俊憲;郭有策;王淑如
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種靜態隨機存取存儲器單元陣列及其形成方法。該形成靜態隨機存取存儲器單元陣列的方法包含有下述步驟。首先，圖案化而形成多個鰭狀結構于一基底上，其中此些鰭狀結構包含多個主動鰭狀結構以及多個犧牲鰭狀結構，各通道晶體管(PG FinFET)與對應的一降壓晶體管(PD FinFET)至少共享一主動鰭狀結構，在一存儲器單元中二相鄰的升壓晶體管(PU FinFET)跨設的二主動鰭狀結構之間設置有至少一犧牲鰭狀結構。接著，移除此些犧牲鰭狀結構的至少一部分。

技術領域

本發明涉及一種靜態隨機存取存儲器單元陣列及其形成方法，且特別是涉及一種應用犧牲鰭狀結構的靜態隨機存取存儲器單元陣列及其形成方法。

背景技術

隨機存取存儲器(RAM：Random Access Memory)使用時可以讀取數據也可以寫入數據，當電源關閉以后數據立刻消失。由于隨機存取存儲器的數據更改容易，所以一般應用在個人電腦做為暫時存儲數據的存儲器。隨機存取存儲器又可以細分為「動態(Dynamic)」與「靜態(Static)」兩種。

「動態隨機存取存儲器(DRAM：Dynamic RAM)」是以1個晶體管加上1個電容來存儲1個位(1bit)的數據，而且使用時必須要周期性地補充電源來保持存儲的內容，故稱為「動態(Dynamic)」。動態隨機存取存儲器構造較簡單(1個晶體管加上1個電容來存儲1個位的數據)使得存取速度較慢(電容充電放電需要較長的時間)，但是成本也較低，因此一般都制作成對容量要求較高但是對速度要求較低的存儲器，例如：個人電腦主機板上通常使用的主存儲器(main memory)。

「靜態隨機存取存儲器(SRAM：Static RAM)」是以6個晶體管來存儲1個位(1bit)的數據，而且使用時不需要周期性地補充電源來保持存儲的內容，故稱為「靜態(Static)」。靜態隨機存取存儲器的構造較復雜(6個晶體管存儲1個位的數據)使得存取速度較快，但是成本也較高，因此一般都制作成對容量要求較低但是對速度要求較高的存儲器，例如：個人電腦的中央處理器(CPU)內建256KB或512KB的快取存儲器(Cache Memory)。由于中央處理器的速度決定了電腦運算數據及處理信息的快慢，主存儲器的容量則決定了電腦可以存儲信息的多寡，因此快取存儲器是用來存儲一些經常使用到的信息，把這些經常用到的信息放在速度較快的快取存儲器中可以使中央處理器很快的取得這些信息，而不需要再到速度較慢的主存儲器中去尋找，如此一來可使中央處理器處理的速度加快。

發明內容

本發明提出一種靜態隨機存取存儲器單元陣列及其形成方法，能促進制作工藝可靠度，并提升靜態隨機存取存儲器的性能。

本發明提供一種形成靜態隨機存取存儲器(static random-access memory,SRAM)單元陣列的方法，包含有下述步驟。首先，圖案化而形成多個鰭狀結構于一基底上，其中此些鰭狀結構包含多個主動鰭狀結構以及多個犧牲鰭狀結構，各通道晶體管(PGFinFET)與對應的一降壓晶體管(PD FinFET)至少共享一主動鰭狀結構，在一存儲器單元中二相鄰的升壓晶體管(PU FinFET)跨設的二主動鰭狀結構之間設置有至少一犧牲鰭狀結構。接著，移除此些犧牲鰭狀結構的至少一部分。

本發明提供一種靜態隨機存取存儲器(static random-access memory,SRAM)單元陣列，包含有多個鰭狀結構位于一基底上。此些鰭狀結構包含多個主動鰭狀結構以及矮于此些主動鰭狀結構的多個剩下的犧牲鰭狀結構，其中各通道晶體管(PG FinFET)與對應的一降壓晶體管(PD FinFET)至少共享一主動鰭狀結構，在一存儲器單元中二相鄰的升壓晶體管(PU FinFET)跨設的二主動鰭狀結構之間設置有至少一剩下的犧牲鰭狀結構。