[發(fā)明專利]一種光刻對準(zhǔn)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710961708.7 | 申請日: | 2017-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN109669325A | 公開(公告)日: | 2019-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃濤 | 申請(專利權(quán))人: | 晶能光電(江西)有限公司 |
| 主分類號: | G03F9/00 | 分類號: | G03F9/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 330096 江西省*** | 國省代碼: | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光刻圖形 光刻工序 光刻 對位標(biāo)記 對準(zhǔn) 累積誤差 圖形設(shè)計 光刻機 偏移 一對一 基底 良率 制程 | ||
本發(fā)明提供了一種光刻對準(zhǔn)方法,包括:S1在待光刻基底上進行第一道光刻工序得到第一光刻圖形,第一光刻圖形中包括下一道光刻工序的對位標(biāo)記;S2在第一光刻圖形表面進行第二道光刻工序得到第二光刻圖形,第二光刻圖形中包括下一道光刻工序的對位標(biāo)記;S3在第二光刻圖形表面進行第三道光刻工序得到第三光刻圖形,其中,當(dāng)其不為最后一道光刻工序,則第三光刻圖形中包括下一道光刻工序的對位標(biāo)記,否則不包括下一道光刻工序的對位標(biāo)記。采用一對一的光刻對準(zhǔn)方法,將誤差限定在每一次的光刻中,得到的圖形不會超出上次的光刻圖形,避免累積誤差,極大地提升制程穩(wěn)定性與良率確保光刻機對準(zhǔn)精度內(nèi)的圖形設(shè)計對準(zhǔn)精確,不出現(xiàn)圖形偏移。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種光刻對準(zhǔn)方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體器件的制造需要經(jīng)過上百道工藝,光刻工藝作為圖案化的主要工藝步驟,在半導(dǎo)體器件的制造過程中處于舉足輕重的地位。隨著半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的日趨復(fù)雜,光刻工序越來越多,為了保證半導(dǎo)體器件的制備良率,光刻圖形之間的相互對準(zhǔn)顯得尤為重要。
目前,大多將光刻過程中需要的對位標(biāo)記設(shè)計在第一道光刻使用的光刻板中,如圖1(a)和圖1(b)所示,其中,如圖1(a)為第一道光刻的光刻板,圖1(b)為光刻板中的對位標(biāo)記;在第一道光刻中得到如圖1(c)所示的光刻圖形后,如圖1(d)所示采用2號對位標(biāo)記進行第二道光刻工藝的對準(zhǔn)操作,得到如圖1(e)所示的光刻圖形;之后采用如圖1(f)所示的3號對位標(biāo)記進行第三道光刻工藝的對準(zhǔn)操作,得到如圖1(g)所示的光刻圖形。從圖中可以看出,將所有的對位標(biāo)記設(shè)計在一道光刻的圖形中,當(dāng)不同光刻圖形間距接近光刻機的對準(zhǔn)精度時,極可能出現(xiàn)由于累積誤差產(chǎn)生的圖形偏移情況,從而造成芯片失效、良率下降。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述問題,本發(fā)明旨在提供一種光刻對準(zhǔn)方法,有效提升晶圓片的切割效率和穩(wěn)定性。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:
一種光刻對準(zhǔn)方法,光刻工藝中包括三道或三道以上光刻工序,所述對準(zhǔn)方法中包括:
S1在待光刻基底上進行第一道光刻工序得到第一光刻圖形,所述第一光刻圖形中包括下一道光刻工序的對位標(biāo)記;
S2在所述第一光刻圖形表面進行第二道光刻工序得到第二光刻圖形,所述第二光刻圖形中包括下一道光刻工序的對位標(biāo)記;
S3在所述第二光刻圖形表面進行第三道光刻工序得到第三光刻圖形,其中,當(dāng)其不為最后一道光刻工序,則所述第三光刻圖形中包括下一道光刻工序的對位標(biāo)記,否則不包括下一道光刻工序的對位標(biāo)記。
進一步優(yōu)選地,在步驟S1之前包括:
根據(jù)光刻工序依次制備光刻板,其中,后一光刻工序使用的光刻板與前一光刻工序的光刻板中包括同一對位標(biāo)記;
在步驟S1中,具體為:使用第一光刻板在待光刻基底上進行第一道光刻工序得到第一光刻圖形;
在步驟S2中,具體為:使用第二光刻板在所述第一光刻圖形表面進行第二道光刻工序得到第二光刻圖形;
在步驟S3中,具體為:使用第三光刻板在所述第二光刻圖形表面進行第三道光刻工序得到第三光刻圖形。
在本發(fā)明提供的光刻對準(zhǔn)方法中,采用一對一的光刻對準(zhǔn)方法,將誤差限定在每一次的光刻中,得到的圖形不會超出上次的光刻圖形,避免累積誤差,極大地提升制程穩(wěn)定性與良率確保光刻機對準(zhǔn)精度內(nèi)的圖形設(shè)計對準(zhǔn)精確,不出現(xiàn)圖形偏移;此外,在產(chǎn)品設(shè)計上也可以追求光刻機性能最大化,從而使產(chǎn)品性能進一步提升。
附圖說明
圖1(a)為現(xiàn)有技術(shù)中第一道光刻的第一光刻板示意圖;
圖1(b)為現(xiàn)有技術(shù)中第一光刻板中包括的2號和3號對位標(biāo)記示意圖;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于晶能光電(江西)有限公司,未經(jīng)晶能光電(江西)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710961708.7/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





