[發(fā)明專利]雙盤光學(xué)回音壁模式鈮酸鋰微腔及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710960370.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-10-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107748402B | 公開(公告)日: | 2019-10-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 程亞;方致偉;盧濤;林錦添;汪旻;喬玲玲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所 |
| 主分類號(hào): | G02B5/00 | 分類號(hào): | G02B5/00;G02F1/01 |
| 代理公司: | 上海恒慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 張寧展 |
| 地址: | 201800 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 回音壁 模式 鈮酸鋰微腔 及其 制備 方法 | ||
1.一種雙盤光學(xué)回音壁模式鈮酸鋰微腔的制備方法,該微腔自上而下依次是第一鈮酸鋰圓盤(1)、二氧化硅薄盤(2)、第二鈮酸鋰圓盤(3)、二氧化硅支柱(4)和鈮酸鋰基底(5),所述的第一鈮酸鋰圓盤(1)和第二鈮酸鋰圓盤(3)的厚度在100nm到1μm之間,圓盤直徑5μm到200μm之間;所述的二氧化硅薄盤(2)的直徑小于所述的第一鈮酸鋰圓盤(1),厚度范圍為20nm到1μm,所述的二氧化硅支柱(4)的直徑小于所述的第二鈮酸鋰圓盤(3),厚度范圍為1μm到5μm,所述的鈮酸鋰基底(5)的厚度400μm到600μm,所述的第一鈮酸鋰圓盤(1)和第二鈮酸鋰圓盤(3)構(gòu)成雙盤鈮酸鋰微腔;其特征在于,該微腔的制備方法包括下列步驟:
1)制備五層薄膜:
結(jié)合工藝上的可行性,再根據(jù)商業(yè)化模擬軟件COMSOL模擬改變第一鈮酸鋰圓盤(1)切向和厚度、第二鈮酸鋰圓盤(3)的切向和厚度、雙盤之間的間隔三個(gè)參數(shù)得到雙盤鈮酸鋰微腔能有最佳耦合效率和高Q值,然后根據(jù)得到的參數(shù)選取第一鈮酸鋰薄膜層(6)和第三鈮酸鋰薄膜層(8)的切向,確定第一鈮酸鋰薄膜層(6)、第二二氧化硅薄膜層(7)、第三鈮酸鋰薄膜層(8)、第四二氧化硅薄膜層(9)和第五鈮酸鋰晶體基底層(10)的厚度,利用氦離子注入后晶片鍵合的方法制備出滿足要求的五層薄膜,包括自上而下的第一鈮酸鋰薄膜層(6)、第二二氧化硅薄膜層(7)、第三鈮酸鋰薄膜層(8)、第四二氧化硅薄膜層(9)和第五鈮酸鋰晶體基底層(10);
2)加工柱狀結(jié)構(gòu):在所述的五層薄膜上利用微加工方法加工出外側(cè)面光滑的所述的柱狀結(jié)構(gòu)(12);
3)化學(xué)腐蝕:將所述的柱狀結(jié)構(gòu)(12)置于氫氟酸溶液(14)中,使所述的第二二氧化硅薄膜層(7)和第四二氧化硅薄膜層(9)由柱狀結(jié)構(gòu)側(cè)壁逐漸向內(nèi)腐蝕,直至所述的第二二氧化硅薄膜層(7)和第四二氧化硅薄膜層(9)腐蝕后分別形成所述的二氧化硅薄盤(2)、二氧化硅支柱(4),且所述的二氧化硅薄盤(2)和二氧化硅支柱(4)的直徑均小于所述的第一鈮酸鋰圓盤(1)和第二鈮酸鋰圓盤(3)的直徑,再?gòu)臍浞崛芤褐腥〕觯⒂萌ルx子水充分洗凈,即得到雙盤光學(xué)回音壁模式鈮酸鋰微腔(15)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙盤光學(xué)回音壁模式鈮酸鋰微腔的制備方法,其特征在于,所述的在五層薄膜上利用微加工方法加工柱狀結(jié)構(gòu)(12)有下列兩種方法:
1)飛秒激光直寫后輔助聚焦離子束研磨:
將所述的五層薄膜固定在三維位移平臺(tái)上,采用經(jīng)物鏡聚焦的飛秒激光(11)在所述的五層薄膜逐層加工至第五鈮酸鋰晶體基底層(10)的上表面,直寫出一個(gè)柱狀結(jié)構(gòu)(12);將聚焦離子束(13)聚焦于所述的柱狀結(jié)構(gòu)(12)的第一鈮酸鋰薄膜層(6)的上表面,所述的聚焦離子束(13)的掃描區(qū)域設(shè)置為一個(gè)直徑滿足要求的圓環(huán),對(duì)所述的柱狀結(jié)構(gòu)(12)進(jìn)行研磨,使所述的柱狀結(jié)構(gòu)(12)的外側(cè)面光滑;
2)光刻技術(shù):
將所述的五層薄膜固定在平臺(tái)上,利用電子束(16)對(duì)所述的五層薄膜上表面的圓形區(qū)域的光刻膠(17)進(jìn)行曝光,再利用氬氣等離子體(18)在所述的五層薄膜逐層上刻蝕至第四二氧化硅薄膜層(9)的上表面,刻蝕出一個(gè)外側(cè)面光滑柱狀結(jié)構(gòu)(12)。
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