[發(fā)明專利]一種氧化鋯陶瓷背板的后處理方法及其處理后的產(chǎn)品

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710959698.3
• 申請(qǐng)日: 2017-10-16
• 公開（公告）號(hào): CN109665867A
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何玲玲;嚴(yán)慶云;韓成瑋;侯成;郭穎;陳明日;周洪濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 遼寧愛爾創(chuàng)科技有限公司
• 主分類號(hào): C04B41/80
• 分類號(hào): C04B41/80;C04B41/85
• 代理公司: 北京柏杉松知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11413
• 代理人: 張函;王春偉

本發(fā)明提供了一種氧化鋯陶瓷背板的后處理方法及其處理后的產(chǎn)品，所述方法包括：獲得待處理氧化鋯陶瓷背板；將所述待處理氧化鋯陶瓷背板和水裝入反應(yīng)釜內(nèi)；將反應(yīng)釜內(nèi)溫度升溫至100?200℃，保溫0.2?24h。應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例提供的一種氧化鋯陶瓷背板的后處理方法及其處理后的產(chǎn)品，可以具有以下有益效果：本發(fā)明提供的氧化鋯陶瓷背板的韋伯模數(shù)較大，達(dá)到了10以上，降低了氧化鋯陶瓷背板彎曲強(qiáng)度的離散性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及陶瓷技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種氧化鋯陶瓷背板的后處理方法及其處理后的產(chǎn)品。

背景技術(shù)

隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電子設(shè)備，例如手機(jī)中的電子元件越來(lái)越多，因此在手機(jī)內(nèi)部各個(gè)電子元件之間的接觸也越來(lái)越緊密，而手機(jī)背板(也稱為手機(jī)后殼)的作用就是保護(hù)手機(jī)免于來(lái)自外界的傷害，因此，手機(jī)背板在手機(jī)中起到的作用也越來(lái)越關(guān)鍵。作為手機(jī)背板，要求其材料對(duì)電子信號(hào)屏蔽少、強(qiáng)度高，其次是美學(xué)上的要求。同樣地，其它電子設(shè)備的背板也存在同樣的要求。

陶瓷材料比起其他材料來(lái)說存在很多優(yōu)點(diǎn)：陶瓷材料硬度高，耐磨損、不易臟，外形色澤美觀；陶瓷材料對(duì)電子信號(hào)的屏蔽少，更加適應(yīng)5G時(shí)代的到來(lái)；陶瓷材料作為手機(jī)殼材料還能繼續(xù)支持無(wú)線充電技術(shù)。氧化鋯陶瓷背板的制造過程可以為，按照一定的比例配置氧化鋯、穩(wěn)定劑以及其他添加劑，混合后模壓成型(或注射成型、流延成型)，再對(duì)模壓后的坯體進(jìn)行燒結(jié)，然后將燒結(jié)后的坯體進(jìn)行機(jī)械加工，得到精確尺寸的氧化鋯陶瓷背板。

目前，現(xiàn)有使用陶瓷外殼或者氧化鋯陶瓷背板的手機(jī)很少，而且由于機(jī)加工會(huì)在氧化鋯陶瓷背板表面產(chǎn)生大量的微裂紋，導(dǎo)致現(xiàn)有的氧化鋯陶瓷背板都普遍具有容易破裂的問題。因此根據(jù)氧化鋯的相變特性，研發(fā)了相變?cè)鲰g氧化鋯，相變?cè)鲰g氧化鋯陶瓷材料具有對(duì)電子信號(hào)屏蔽少、強(qiáng)度高、硬度高、耐磨損、不易臟、色澤美觀的特點(diǎn)，因此由其制成的氧化鋯陶瓷背板可以作為電子設(shè)備的背板，尤其是手機(jī)背板。相變?cè)鲰g的機(jī)理為：氧化鋯晶粒在裂紋尖端應(yīng)力的誘發(fā)作用下，發(fā)生從四方相到單斜相的相變，并伴隨體積膨脹，一方面體積膨脹吸收了裂紋尖端的能量，另一方面膨脹的晶格在裂紋作用下產(chǎn)生壓應(yīng)力，阻止裂紋繼續(xù)擴(kuò)展，使得氧化鋯陶瓷具有較高的彎曲斷裂強(qiáng)度和斷裂韌性。但是，應(yīng)用現(xiàn)有技術(shù)制備的氧化釔穩(wěn)定的氧化鋯陶瓷背板，制造過程以及機(jī)械加工過程中可能存在工藝參數(shù)波動(dòng)，陶瓷中的缺陷會(huì)隨機(jī)分布，導(dǎo)致氧化鋯陶瓷背板的彎曲斷裂強(qiáng)度會(huì)分布在一定的數(shù)值范圍內(nèi)，該范圍對(duì)應(yīng)一定的離散性。在現(xiàn)有技術(shù)中，通常使用雙參數(shù)Weibull(韋伯)分布模擬彎曲斷裂強(qiáng)度在一定的數(shù)值范圍內(nèi)的分布，其函數(shù)為：

其中，

R(t)為韋伯分布函數(shù)；t為隨機(jī)變量；β為Weibull modulus(韋伯模數(shù))；η為比例參數(shù)。韋伯模數(shù)越大，則說明彎曲斷裂強(qiáng)度的離散性越小，反之，韋伯模數(shù)越小，則說明彎曲斷裂強(qiáng)度的離散性越大。而利用現(xiàn)有技術(shù)制備的氧化鋯陶瓷背板對(duì)應(yīng)的韋伯模數(shù)較小，一般小于9.2，也就是說，現(xiàn)有技術(shù)存在彎曲斷裂強(qiáng)度的離散性較大的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種氧化鋯陶瓷背板的后處理方法及其處理后的產(chǎn)品，以實(shí)現(xiàn)降低氧化鋯陶瓷背板的彎曲強(qiáng)度的離散性的目的，其原理為通過老化，使得陶瓷背板表面新產(chǎn)生一定量的單斜相，使得背板表面產(chǎn)生一定的壓應(yīng)力，同時(shí)背板表面缺陷的尖端更易產(chǎn)生相變，使得缺陷尖端產(chǎn)生壓應(yīng)力，使得裂紋鈍化，提高背板的抗破碎能力。具體技術(shù)方案如：

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種氧化鋯陶瓷背板的后處理方法，所述方法包括：

獲得待處理氧化鋯陶瓷背板；

將所述待處理氧化鋯陶瓷背板和水裝入反應(yīng)釜內(nèi)；

將反應(yīng)釜內(nèi)溫度升溫至100-200℃，保溫0.2-24h。

可選的，在本發(fā)明實(shí)施例的一種具體實(shí)施方式中，所述待處理氧化鋯陶瓷背板中含有穩(wěn)定劑，其中，所述穩(wěn)定劑的摩爾含量為1.6-3.0％。