[發明專利]多晶硅塊、多晶硅棒及單晶硅的制造方法有效
| 申請號： | 201710958219.6 | 申請日： | 2017-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN107954427B | 公開（公告）日： | 2022-11-01 |
| 發明（設計）人： | 宮尾秀一;禰津茂義;星野成大;岡田哲郎 | 申請（專利權）人： | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號： | C01B33/035 | 分類號： | C01B33/035;C30B35/00 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 滿鳳;金龍河 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 單晶硅 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種單晶硅的制造方法，其中，選擇多晶硅塊并作為原料使用，所述多晶硅塊在將在1400℃以上的溫度范圍內以60℃/分鐘以下的速度升溫時的熔化的開始溫度設為Ts并將熔化的完成溫度設為Te時，ΔT＝Te-Ts的值為50℃以下。
2.如權利要求1所述的單晶硅的制造方法，其中，所述多晶硅塊為從利用西門子法合成的多晶硅棒選取的多晶硅塊。
3.一種單晶硅的制造方法，其中，選擇多晶硅棒并作為原料使用，所述多晶硅棒為利用西門子法合成的多晶硅棒，其中，從該多晶硅棒的任一部位選取的多晶硅塊在將在1400℃以上的溫度范圍內以60℃/分鐘以下的速度升溫時的熔化的開始溫度設為Ts并將熔化的完成溫度設為Te時，ΔT＝Te-Ts的值為50℃以下。
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