[發明專利]一種金剛石薄膜深海溫度傳感器及其制備方法在審
| 申請號: | 201710957111.5 | 申請日: | 2017-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN107702821A | 公開(公告)日: | 2018-02-16 |
| 發明(設計)人: | 蓋志剛;郭風祥;張濤;張妹;邱慧敏;胡鼎;李恒;李正軍 | 申請(專利權)人: | 山東省科學院海洋儀器儀表研究所 |
| 主分類號: | G01K13/02 | 分類號: | G01K13/02 |
| 代理公司: | 青島華慧澤專利代理事務所(普通合伙)37247 | 代理人: | 劉娜,李新欣 |
| 地址: | 266071 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金剛石 薄膜 深海 溫度傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.一種金剛石薄膜深海溫度傳感器,其特征在于,包括一端密封的筒狀金屬耐壓外殼,所述金屬耐壓外殼內縱向設有片狀金剛石基底,所述金剛石基底一側設有溫度響應元件,所述溫度響應元件為雙螺旋線狀結構,所述溫度響應元件兩端設有與外部信號采集電路連接的引線,所述溫度響應元件和引線表面覆蓋有陶瓷或類金剛石絕緣層,所述陶瓷或類金剛石絕緣層與金屬耐壓外殼接觸;所述溫度響應元件為硼摻雜金剛石薄膜材料。
2.根據權利要求1所述的一種金剛石薄膜深海溫度傳感器,其特征在于,所述金剛石基底的厚度為毫米級別。
3.根據權利要求1所述的一種金剛石薄膜深海溫度傳感器,其特征在于,所述溫度響應元件薄膜中硼的摻雜濃度范圍為0~5at.%。
4.根據權利要求1所述的一種金剛石薄膜深海溫度傳感器,其特征在于,所述金剛石基底材料為本征單晶金剛石、多晶微晶金剛石、超細納米晶本征金剛石、本征金剛石/碳化硅復合膜、摻雜金剛石/氮化鋁膜中的一種或者幾種的復合薄膜或者多層膜結構。
5.根據權利要求4所述的一種金剛石薄膜深海溫度傳感器,其特征在于,所述金剛石基底為金剛石薄膜晶粒尺寸為100納米~100微米的多晶及2~5nm的超細納米晶金剛石薄膜。
6.根據權利要求1所述的一種金剛石薄膜深海溫度傳感器,其特征在于,所述金剛石基底的兩側邊與金屬耐壓外殼的內壁固定連接。
7.一種如權利要求1所述的金剛石薄膜深海溫度傳感器的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)利用化學氣相沉積技術制備金剛石基底;
(2)利用化學氣相沉積技術制備硼摻雜金剛石溫度響應元件;
(3)利用磁控濺射技術依次制備引線、陶瓷或類金剛石絕緣層,通過陶瓷或類金剛石絕緣層將溫度響應元件和引線密封,僅預留引線與測量電路的焊接位置,使陶瓷或類金剛石絕緣層與金屬耐壓外殼接觸。
8.根據權利要求7所述的一種基于金剛石薄膜的全海深溫度傳感器的制備方法,其特征在于,所述步驟(2)的具體方法為在金剛石基底上依次沉積二氧化硅層和光刻膠;利用掩膜板進行紫外光刻,在光刻膠上刻蝕出所需圖形;移走掩膜板,利用氫氟酸對二氧化硅層進行刻蝕,并露出金剛石基底;利用氧氣等離子體清洗,結合雙氧水和硫酸清洗工藝去除光刻膠;利用化學氣相沉積技術,在金剛石基底具有二氧化硅層的一側進行溫度響應元件的沉積。
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