[發明專利]陣列基板、顯示面板及其制作方法和顯示裝置有效
| 申請號: | 201710954861.7 | 申請日: | 2017-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN109671738B | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發明(設計)人: | 孫宏達;宋泳錫;宋振;王國英 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黃德海 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種陣列基板、顯示面板及其制作方法和顯示裝置,陣列基板包括基板和像素界定層。基板的表面陣列有多個像素格,像素界定層設于基板上,像素界定層限定出多個呈陣列排布的像素格,像素界定層還包括多個厚度減薄區,厚度減薄區適于導引封裝層流動。根據本發明實施例的陣列基板,通過在基板上鋪設像素界定層,利用像素界定層限定出多個像素格,像素界定層還包括多個厚度減薄區,封裝層填充基板時,厚度減薄區可以導引封裝層流向,從而可以使得封裝層填充更均勻,由此可以避免由于封裝層填充過量或是填充不滿的情況,造成OLED性能失效或是性能不佳的情況。
技術領域
本發明涉及電子設備技術領域,具體而言,尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及其制作方法和顯示裝置。
背景技術
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機電致發光二極管)顯示裝置包括陽極、有機層(包括空穴傳輸層和電子傳輸層,以及位于空穴傳輸層和電子傳輸層之間的有機發光層)和陰極。OLED顯示裝置與LCD顯示裝置相比,具有薄、輕、寬視角、主動發光、發光顏色連續可調、成本低、響應速度快、能耗小、驅動電壓低、工作溫度范圍寬、生產工藝簡單、發光效率高及可柔性顯示等優點。OLED正是由于具有其他顯示器不可比擬的優勢以及美好的應用前景得到了產業界和科學界的極大關注。
空氣中的水汽和氧氣等成分對OLED的壽命影響很大,其原因主要如下:OLED工作時要從陰極注入電子,這就要求陰極功函數越低越好,如鋁、鎂、鈣等金屬材料,而這些金屬材料一般比較活波,易與滲透進來的水汽發生反應。另外,水汽還會與空穴傳輸層以及電子傳輸層發生化學反應,這些反應都會引起OLED失效。因此對OLED進行有效封裝,使器件的各功能層與大氣中的水汽、氧氣等成分隔開,就可以大大延長器件壽命。
相關技術中,頂發射的OLED器件中,封裝過程中,填充封裝層的流動性較弱,經常出現難以布滿或填充過量的情況。導致器件出現部分不被封裝層填充,產生氣泡;或部分區域封裝層過量,輔助陰極失效;甚至兩種問題在同一產品同出現。
發明內容
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此,本發明提出一種陣列基板,所述陣列基板具有結構簡單、封裝效果好的優點。
本發明再提出一種顯示面板,所述顯示面板具有如上所述陣列基板。
本發明又提出一種顯示面板的制作方法,所述顯示面板的制作方法具有工藝過程簡單的優點。
本發明還提出一種顯示裝置,所述顯示裝置包括如上所述的陣列基板。
根據本發明實施例的陣列基板,包括:基板;和像素界定層,所述像素界定層設于所述基板上,所述像素界定層限定出多個呈陣列排布的像素格,所述像素界定層還包括多個厚度減薄區,所述厚度減薄區用于導引封裝層流動。
根據本發明實施例的陣列基板,通過在基板上鋪設像素界定層,利用像素界定層限定出多個像素格,且像素界定層還包括多個厚度減薄區,封裝層填充基板時,厚度減薄區可以導引封裝層流向,從而可以使得封裝層填充更均勻,由此可以避免由于封裝層填充過量或是填充不滿的情況,造成陣列基板上器件性能失效或是性能不佳的情況。
根據本發明的一些實施例,所述像素界定層包括:多個第一間隔部,多個所述第一間隔部限定出多個排布區域,所述排布區域由任意相鄰的兩個所述第一間隔部限定出;第二間隔部,所述第二間隔部構成所述厚度減薄區,多個所述排布區域中的至少一個內具有多個所述第二間隔部,至少部分所述像素格位于相鄰的兩個所述第二間隔部之間。由此,可以通過多個第一間隔部具體限定出排布區域,可以通過第二間隔部在厚度減薄區內限定出像素格的位置區域。
根據本發明進一步的實施例,所述第二間隔部的高度小于所述第一間隔部的高度。由此,封裝層可以沿著第一間隔部限定的厚度減薄區流動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





