[發(fā)明專利]帶寬及吸收頻段可調(diào)的石墨烯吸波器及其吸波調(diào)節(jié)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710954128.5
• 申請(qǐng)日: 2017-10-13
• 公開（公告）號(hào): CN107742782A
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊漢;董吉;曾瑞雪;李魯超;歐照杰;唐明春;曾孝平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 重慶大學(xué)
• 主分類號(hào): H01Q17/00
• 分類號(hào): H01Q17/00;G02B5/00;G02F1/17
• 代理公司: 重慶博凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司50212
• 代理人: 伍倫辰

1.一種帶寬及吸收頻段可調(diào)的石墨烯吸波器，其特征在于，由M×N個(gè)吸波單元組成，M和N是自然數(shù)，M>2，N>2，每個(gè)所述吸波單元包括底層金屬及2×2個(gè)吸波片，每個(gè)所述吸波片均貼附在所述底層金屬上，每個(gè)所述吸波片從上到下依次由頂層金屬、石墨烯層及電介質(zhì)層貼附而成，每個(gè)所述吸波片的石墨烯層與底層金屬分別通過一個(gè)獨(dú)立電源連接。

2.如權(quán)利要求1所述的一種帶寬及吸收頻段可調(diào)的石墨烯吸波器，其特征在于，所述電介質(zhì)層的相對(duì)介電常數(shù)為ε_r=2、相對(duì)磁導(dǎo)率為μ_r=1。

3.如權(quán)利要求1所述的一種帶寬及吸收頻段可調(diào)的石墨烯吸波器，其特征在于，每個(gè)所述吸波單元上的所述吸波片的橫截面積不同。

4.如權(quán)利要求1所述的一種帶寬及吸收頻段可調(diào)的石墨烯吸波器，其特征在于，所述吸波片為正四邊形塊。

5.如權(quán)利要求1所述的一種帶寬及吸收頻段可調(diào)的石墨烯吸波器，其特征在于，從所述吸波單元的左上角開始順時(shí)針排列分別為第一吸波片、第二吸波片、第三吸波片及第四吸波片，其中所述第一吸波片的電介質(zhì)層厚度為0.46um，邊長(zhǎng)為2.3um，所述第一吸波片上的石墨烯層與底層金屬間連接第一獨(dú)立電源，所述第二吸波片的電介質(zhì)層厚度為0.46um，邊長(zhǎng)為3.1um，所述第二吸波片上的石墨烯層與底層金屬間連接第二獨(dú)立電源，所述第三吸波片的電介質(zhì)層厚度為0.46um，邊長(zhǎng)為1.9um，所述第三吸波片上的石墨烯層與底層金屬間連接第三獨(dú)立電源，所述第四吸波片的電介質(zhì)層厚度為0.46um，邊長(zhǎng)為2.7um，所述第四吸波片上的石墨烯層與底層金屬間連接第四獨(dú)立電源，所有石墨烯層的厚度為1nm。

6.如權(quán)利要求1所述的一種帶寬及吸收頻段可調(diào)的石墨烯吸波器，其特征在于，所述頂層金屬及所述底層金屬為金。

7.如權(quán)利要求1所述的一種帶寬及吸收頻段可調(diào)的石墨烯吸波器，其特征在于，所述底層金屬層厚度為0.2um和頂層金屬層厚度為0.1um。

8.如權(quán)利要求1所述的一種帶寬及吸收頻段可調(diào)的石墨烯吸波器，其特征在于，每個(gè)所述吸波單元的底層金屬為邊長(zhǎng)為10um的正四邊形塊。

9.一種帶寬及吸收頻段可調(diào)的石墨烯吸波器的吸波調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述帶寬及吸收頻段可調(diào)的石墨烯吸波器為權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)中的帶寬及吸收頻段可調(diào)的石墨烯吸波器，本方法包括如下步驟：

獲取需要吸收的電磁波的頻段信息；

調(diào)用與所述頻段信息相匹配的電壓控制方案；

控制所述獨(dú)立電源按照所述電壓配置方案向所述吸收單元施加電壓。

10.如權(quán)利要求9所述的帶寬及吸收頻段可調(diào)的石墨烯吸波器的吸波調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述電壓控制方案的生成方法包括：

控制所述獨(dú)立電源向所述吸波單元上不同的吸波片的石墨烯層與底層金屬間施加不同的電壓；

記錄所述獨(dú)立電源施加所述電壓時(shí)所述帶寬及吸收頻段可調(diào)的石墨烯吸波器的吸波頻段；

基于所述吸波頻段及與之匹配的所述電壓生成所述電壓控制方案。