[發明專利]電致發光層及其制備方法、電致發光器件、顯示和照明裝置

在審

• 申請號: 201710954085.0
• 申請日: 2017-10-13
• 公開（公告）號: CN108963083A
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 李哲;謝相偉;宋晶堯;付東
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 林青中

1.一種電致發光層，其特征在于，包括納米晶體半導體材料和Cu(I)配合物發光材料，其中，所述Cu(I)配合物發光材料是發光波長為380nm～780nm的一價銅配位化合物發光材料，所述Cu(I)配合物發光材料的峰值發射波長小于所述納米晶體半導體材料的峰值發射波長。

2.根據權利要求1所述的電致發光層，其特征在于，所述Cu(I)配合物發光材料的配體為鹵族元素及以N或/和P為配位基的單齒或多齒配體的組合，或以N或/和P為配位基的單齒或多齒配體。

3.根據權利要求2所述的電致發光層，其特征在于，所述以N或/和P為配位基的單齒或多齒配體選自芳基膦、吡啶、吡唑、鄰菲羅啉中的至少一種。

4.根據權利要求2所述的電致發光層，其特征在于，所述Cu(I)配合物發光材料選自如下化合物：

中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的電致發光層，其特征在于，所述納米晶體半導體材料選自IIB-VIA族化合物納米晶體半導體材料、IIIA-VA族化合物納米晶體半導體材料、IVA-VIA族化合物納米晶體半導體材料、鈣鈦礦型納米晶體半導體材料及由一種或多種碳族元素組成的納米晶體半導體材料中的至少一種。

6.根據權利要求1～5任一項所述的電致發光層，其特征在于，所述電致發光層為由所述納米晶體半導體材料和所述Cu(I)配合物發光材料共混形成的第一薄膜結構，或所述電致發光層為由所述納米晶體半導體材料和所述Cu(I)配合物發光材料分別形成的兩個薄膜層層疊構成的第二薄膜結構，或所述電致發光層同時含有所述第一薄膜結構和所述第二薄膜結構。

7.根據權利要求6所述的電致發光層，其特征在于，所述納米晶體半導體材料占所述第一薄膜結構中的1wt％～99wt％；所述第二薄膜結構中，所述納米晶體半導體材料和所述Cu(I)配合物發光材料分別形成的兩個薄膜層直接相互層疊設置，或所述納米晶體半導體材料和所述Cu(I)配合物發光材料分別形成的兩個薄膜層之間設有其他薄膜層，其中所述其他薄膜層的厚度不超過10nm。

8.一種電致發光層的制備方法，其特征在于，將權利要求1～7任一項所述的電致發光層中的所述納米晶體半導體材料和所述Cu(I)配合物發光材料采用共混成膜和/或分別成膜的方法制備；

所述采用共混成膜的方法的制備步驟包括：將所述納米晶體半導體材料和所述Cu(I)配合物發光材料共混并成膜，得到電致發光層；

所述采用分別成膜的方法的制備步驟包括：將所述納米晶體半導體材料和所述Cu(I)配合物發光材料分別成膜以形成兩個薄膜層，且其中一個薄膜層形成于另一個薄膜層上，得到電致發光層。

9.一種電致發光器件，其特征在于，包括權利要求1～7任一項所述的電致發光層。

10.包括權利要求1～7任一項所述電致發光層的顯示裝置或照明裝置。