[發明專利]單層石墨烯的制備方法在審
| 申請號: | 201710953820.6 | 申請日: | 2017-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN107902645A | 公開(公告)日: | 2018-04-13 |
| 發明(設計)人: | 朱洋;邵蓉 | 申請(專利權)人: | 南京旭羽睿材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C01B32/188 | 分類號: | C01B32/188 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 211100 江蘇省南京市江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 單層 石墨 制備 方法 | ||
1.一種單層石墨烯的制備方法,其特征在于:包括如下工藝步驟:
1)原料的準備:將10—30份的石墨置于50℃—70℃的高溫室內,并利用碾壓機上壓力為800N—1200N的碾壓輪,反復碾壓石墨15min—30min,直至石墨呈直徑在0.03mm—0.06mm粉末狀;
2)A液的制備:將步驟1)得到的石墨粉與百分比在90%以上的濃硫酸或高錳酸鉀溶液混合攪拌10min—20min,后靜置5min—8min;接著向其內加入2—5份乳化硅油,攪拌10min—20min,后靜置5min—8min得到A液;
3)B液的制備:向步驟2)得到的A液加入20—30份的硫酸亞鐵溶液,攪拌3min—4min:后5—15份去離子水,攪拌3min—4min;
4)B液的加熱回流:將步驟3)得到B液與20—30份的鈦酸四丁酯進行反應,加熱回流1h—3h;
5)石墨烯膜的形成:在超高真空條件下將步驟4)得到的A液通入到具有催化活性的過渡金屬基底表面,后將室溫升至120℃—160℃,靜置1h—3h,除去基地表面水分使A液催化脫氫從而制得石墨烯,并且沉淀于過渡金屬基底表面;
6)石墨烯膜的潤滑:將步驟5)得到的帶有石墨烯膜的過渡金屬基底,置于硅油或脂肪酸酰胺中,浸泡2h—4h;
7)石墨烯的取出:通過專門的刮膜刀,將步驟6)得到的過渡金屬基底表面的石墨烯膜刮下。
2.根據權利要求1所述的一種單層石墨烯的制備方法,其特征在于:所述刮膜刀的刃口為圓錐形,且刃口寬度為1mm—1.4mm。
3.根據權利要求1所述的一種單層石墨烯的制備方法,其特征在于:所述過渡金屬為鈷、鎳、銅以及鋅中的一種。
4.根據權利要求1所述的一種單層石墨烯的制備方法,其特征在于:所述硫酸亞鐵溶液的質量分數在60%以上。
5.根據權利要求1所述的一種單層石墨烯的制備方法,其特征在于:所述步驟5)的超高真空條件下的真空度在0.03~-0.1MPa之間。
6.根據權利要求1所述的一種單層石墨烯的制備方法,其特征在于:所述步驟6)中的帶有石墨烯膜的過渡金屬基底,完全浸沒于硅油或脂肪酸酰胺中。
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