[發(fā)明專利]一種鍋具把手表面隔熱涂層及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710953443.6
• 申請(qǐng)日: 2017-10-13
• 公開（公告）號(hào): CN109666903B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙彥輝;徐麗;劉占奇;肖金泉;于寶海;歐劍華;劉炳耀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院金屬研究所;廣東萬事泰集團(tuán)有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/32
• 分類號(hào): C23C14/32;C23C14/16;C23C14/08
• 代理公司: 沈陽優(yōu)普達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 21234
• 代理人: 張志偉

本發(fā)明屬于金屬材料表面沉積隔熱涂層技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種鍋具把手表面的氧化鋁/氧化硅復(fù)合隔熱涂層及其制備方法。在鍋具把手表面依次沉積AlSi膜形成的過渡層及Al₂O₃/SiO₂復(fù)合涂層，Al₂O₃/SiO₂復(fù)合涂層的厚度為1～50微米。本發(fā)明采用磁場(chǎng)增強(qiáng)電弧離子鍍技術(shù)完成，該方法制備的隔熱涂層除具有較好的隔熱性能外，還具有硬度高、抗刮擦等優(yōu)點(diǎn)，適用于餐廚具部件隔熱、機(jī)械零部件隔熱等領(lǐng)域。

技術(shù)領(lǐng)域：

本發(fā)明屬于金屬材料表面沉積隔熱涂層技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種鍋具把手表面的氧化鋁/氧化硅復(fù)合隔熱涂層及其制備方法。

背景技術(shù)：

鍋具在人們的日常生活中應(yīng)用越來越廣泛，人們不僅用它來烹制食物，也用它來加熱牛奶等飲品等。目前，市場(chǎng)上的鍋具大多選用不銹鋼作為基體，鍋把手處一般增加一層塑料，以防止在使用過程中，手由于接觸鍋把手而被燙傷。但是采用塑料來隔熱并不能起到較好的結(jié)果，這是由于普通塑料的隔熱效果有限，而且塑料的耐熱溫度較低。

因此，有必要尋求更加有效的材料或方法，來作為鍋把手材料來增加隔熱效果，以滿足鍋具的正常使用要求。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有鍋具把手塑料隔熱材料的不足，本發(fā)明的目的是提供一種鍋具把手表面隔熱涂層及其制備方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案為：

一種鍋具把手表面隔熱涂層，在鍋具把手表面依次沉積AlSi膜形成的過渡層及Al₂O₃/SiO₂復(fù)合涂層，Al₂O₃/SiO₂復(fù)合涂層的厚度為1～50微米(優(yōu)選為20～30微米)。

所述的鍋具把手表面隔熱涂層，AlSi膜形成的過渡層厚度為0.1～5微米(優(yōu)選為0.5～3微米)。

所述的鍋具把手表面隔熱涂層，AlSi膜形成的過渡層中，Al的含量為20～90at.％(優(yōu)選為50～80at.％)。

所述的鍋具把手表面隔熱涂層，Al₂O₃/SiO₂復(fù)合涂層中Al₂O₃的含量為20～90at.％(優(yōu)選為50～80at.％)。

所述的鍋具把手表面隔熱涂層的制備方法，具體步驟如下：

(1)鍋具把手表面預(yù)清洗：鍋具把手放置于噴砂機(jī)內(nèi)進(jìn)行噴砂處理，然后進(jìn)行除油處理，再超聲清洗、烘干；

(2)鍍過渡層：將烘干后的鍋具把手置于電弧離子鍍膜機(jī)內(nèi)，采用鋁硅合金靶，當(dāng)真空室內(nèi)真空度達(dá)到5×10^-4Pa～1×10^-2Pa(優(yōu)選為1×10^-3Pa～9×10^-3Pa)時(shí)，對(duì)真空室加熱至300～650℃(優(yōu)選為350～500℃)；向真空室通入氬氣，氣壓控制在0.5～4Pa(優(yōu)選為1.0～2.0Pa)之間；基體加脈沖負(fù)偏壓在-500～-1000V范圍(優(yōu)選為-600～-800V)，使氣體發(fā)生輝光放電，對(duì)樣品進(jìn)行輝光清洗5～30分鐘；調(diào)整氬氣流量，使真空室氣壓為0.01～3.0Pa(優(yōu)選為0.05～0.5Pa，同時(shí)開啟鋁硅合金靶弧源，弧電流為40～100A(優(yōu)選為40～60A)，對(duì)鍋具把手繼續(xù)進(jìn)行離子轟擊1～10分鐘；調(diào)整氬氣流量，使真空室氣壓進(jìn)一步降低為0.01～2.0Pa(優(yōu)選為0.05～0.5Pa，調(diào)脈沖負(fù)偏壓至-50V～-500V(優(yōu)選為-50～-200V)，沉積AlSi膜即過渡層1～30分鐘；