[發明專利]半導體結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201710953109.0
• 申請日: 2017-10-13
• 公開（公告）號: CN109671736B
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 劉志建;謝朝景;楊玉如;周孝邦
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00;H01L29/51;H01L21/8239
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體結構的制作方法，包含有:

提供一基底，該基底中形成有一擴散區；

形成一晶體管結構于該基底上，其中該晶體管結構包含有一柵極結構；以及

形成一電阻式隨機存取存儲器(RRAM)于該基底上，其中該電阻式隨機存取存儲器包含有至少一金屬硅化物層直接接觸該擴散區，以及一下電極、一電阻轉換層與一上電極依序形成于該金屬硅化物層上，其中該柵極結構的一頂面與該電阻式隨機存取存儲器的一頂面切齊，

其中該柵極結構包含有高介電常數層，該高介電常數層與該電阻轉換層由同一步驟制作而成，且兩者的材質相同。

2.如權利要求1所述的制作方法，其中形成該高介電常數層與該電阻轉換層的步驟包含:

形成該金屬硅化物層與該下電極于該基底上；

形成一介電材料層位于該基底上，且部分該介電材料層位于該下電極上；

進行一蝕刻步驟，移除部分該介電材料層，以同時形成該高介電常數層于該基底上，以及形成該電阻轉換層于該下電極上。

3.如權利要求1所述的制作方法，其中該電阻轉換層具有一U型剖面。

4.如權利要求1所述的制作方法，其中該電阻轉換層具有一倒U型剖面結構。

5.如權利要求1所述的制作方法，其中該晶體管結構包含形成有一源/漏極區位于該基底中，且該源/漏極區直接接觸該擴散區。

6.如權利要求1所述的制作方法，其中該下電極的一側壁與該金屬硅化物層的一側壁切齊。

7.如權利要求1所述的制作方法，其中該下電極覆蓋該金屬硅化物層的一側壁。

8.如權利要求1所述的制作方法，其中還包含形成多個接觸結構，分別電連接該電阻式隨機存取存儲器與該晶體管結構。