[發(fā)明專利]形成高爾夫球桿頭組件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710952142.1
• 申請日: 2015-02-17
• 公開（公告）號: CN107583252B
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬休·西蒙;賴安·斯托克;埃文·格里爾
• 申請（專利權(quán)）人: 卡斯騰制造公司
• 主分類號: A63B53/04
• 分類號: A63B53/04;B23K10/02;A63B102/32
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 王達(dá)佐;王艷春

1.一種形成高爾夫球桿頭組件的方法，所述方法包括：

(a)設(shè)置由α-β鈦合金形成的面板，所述α-β鈦合金包括2wt％至10wt％的鋁(Al)以及1.5wt％至7wt％的釩(V)；

(b)使所述面板與球桿頭的凹陷處對齊；

(c)將所述面板焊接至所述球桿頭；

(d)將所述球桿頭和所述面板加熱至高于所述面板的固溶溫度的溫度，并保持預(yù)定時間；以及

(e)允許所述球桿頭和所述面板在惰性氣體中冷卻，

其中，步驟(d)在至少580℃的溫度下執(zhí)行。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述α-β鈦合金包括：6.5wt％至10wt％的鋁。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述α-β鈦合金還包括0.20wt％或更少的氧(O)以及0.20wt％或更少的硅(Si)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述α-β鈦合金還包括0.30wt％或更少的鐵(Fe)、0.08wt％或更少的碳(C)、0.05wt％或更少的氮(N)、微量的鉬(Mo)、微量的錫(Sn)，以及剩余重量百分比的鈦(Ti)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，步驟(c)的所述焊接包括脈沖等離子體焊接過程。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，步驟(e)的所述惰性氣體從由氮(N)、氬(Ar)、氦(He)、氖(Ne)、氪(Kr)以及氙(Xe)或其混合氣體組成的組中進(jìn)行選擇。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述惰性氣體是氮(N)或氬(Ar)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，步驟(a)的所述面板具有0.7mm的最小厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，步驟(d)包括：在550℃與625℃之間將所述球桿頭和所述面板加熱1小時至2小時。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，加熱所述球桿頭和所述面板包括：在575℃與625℃之間將所述球桿頭和所述面板加熱1小時至2小時。

11.一種分散焊接至高爾夫球桿頭的面板的焊接-金屬熱影響區(qū)(HAZ)的應(yīng)力的方法，所述方法包括：

(a)將所述球桿頭和所述面板加熱至高于所述面板的固溶溫度的溫度，并保持預(yù)定時間；

其中，所述面板由α-β鈦合金形成，所述α-β鈦合金包括：6.5wt％至8.5wt％的鋁(Al)、1.0wt％至2.0wt％的釩(V)、0.20wt％或更少的氧(O)以及0.20wt％或更少的硅(Si)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述α-β鈦合金還包括0.30wt％或更少的鐵(Fe)、0.08wt％或更少的碳(C)、0.05wt％或更少的氮(N)、微量的鉬(Mo)、微量的錫(Sn)，以及剩余重量百分比的鈦(Ti)。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，步驟(a)的所述面板具有0.7mm的最小厚度。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，加熱所述球桿頭和所述面板包括：在575℃與625℃之間將所述球桿頭和所述面板加熱1小時至2小時。