[發明專利]一種摻氟化釔的氟化鋇晶體及其制備方法有效
| 申請號： | 201710951942.1 | 申請日： | 2017-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN107723795B | 公開（公告）日： | 2023-02-17 |
| 發明（設計）人： | 張欽輝;徐超;劉建強;劉曉陽;史達威;張國瑩;王琦 | 申請（專利權）人： | 北京首量科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/12 | 分類號： | C30B29/12;C30B9/04 |
| 代理公司： | 北京中海智圣知識產權代理有限公司 11282 | 代理人： | 楊樹芬 |
| 地址： | 101111 北京市通州區中關村*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氟化 氟化鋇 晶體 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種摻氟化釔的氟化鋇晶體的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
步驟一：初始原料為YF3、BaF2和聚四氟乙烯，按照YF3摩爾百分比為6mol％稱量YF3和BaF2，按照0.1wt％稱量聚四氟乙烯；
步驟二：將步驟一中各原料充分混合后裝入石墨坩堝；
步驟三：將步驟二中石墨坩堝放入加熱器內，并抽真空，加熱器內真空度達到10-3Pa以上，石墨坩堝外壁與加熱器內壁之間的距離為20mm；
步驟四：對步驟三中加熱器開始升溫，升溫過程如下：
1)、以每小時50℃速度升溫至350℃，然后恒溫2個小時；
2)、再以每小時50℃的升溫速度至氟化鋇晶體的熔點以上，然后恒溫10小時；
步驟五：對步驟四中升溫后，采用緩冷法，降溫速率為每小時1～2℃，降溫20℃，使摻氟化釔的氟化鋇晶體自發成核生成籽晶；
步驟六：步驟五中緩冷法結束后，將石墨坩堝以每小時1mm的速率勻速下降，直至結晶過程完成；
步驟七：步驟六中結晶過程完成后，以每小時20℃的冷卻速度冷卻至室溫。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟五中所述緩冷法降溫速率為每小時1℃，降溫20℃。
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于：步驟五中所述緩冷法降溫速率為每小時2℃，降溫20℃。
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