[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710950906.3
• 申請日: 2017-10-13
• 公開（公告）號: CN107611122B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 穆鈺平;陳世杰;黃曉櫓
• 申請（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/146
• 代理公司: 11038 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 歐陽帆<國際申請>=<國際公布>=<進(jìn)入

本公開涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。其中一個實施例提供了一種半導(dǎo)體裝置，其包括：襯底，具有相鄰的第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中襯底在第一區(qū)域中形成有第一溝槽結(jié)構(gòu)部件，在第二區(qū)域中形成有第二溝槽結(jié)構(gòu)部件，以及在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的邊界處形成有偽溝槽結(jié)構(gòu)部件；其中，第一溝槽結(jié)構(gòu)部件在襯底中的深度小于第二溝槽結(jié)構(gòu)部件在襯底中的深度。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體來說，涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

有些半導(dǎo)體裝置的設(shè)計需要存在不同深度的淺溝槽隔離(STI)。而不同深度的STI的形成工藝結(jié)束后，在不同深度的STI的分界區(qū)域可能存在高度差，而這個高度差可能會導(dǎo)致平坦化處理后留下殘留缺陷。這些殘留缺陷會成為缺陷來源，影響晶圓的良率。

因此存在對于新的技術(shù)的需求。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的一個目的是提供一種新穎的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，特別地，涉及避免由于同時存在不同深度溝槽而引起的缺陷。

根據(jù)本公開的第一方面，提供了一種半導(dǎo)體裝置，其包括：襯底，具有相鄰的第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中襯底在第一區(qū)域中形成有第一溝槽結(jié)構(gòu)部件，在第二區(qū)域中形成有第二溝槽結(jié)構(gòu)部件，以及在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的邊界處形成有偽溝槽結(jié)構(gòu)部件；其中，第一溝槽結(jié)構(gòu)部件在襯底中的深度小于第二溝槽結(jié)構(gòu)部件在襯底中的深度。

根據(jù)本公開的第二方面，提供了一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其包括：在襯底之上形成硬掩模，其中襯底具有相鄰的第一區(qū)域和第二區(qū)域；對硬掩模進(jìn)行圖案化以便形成開口，所述開口分別對應(yīng)于要在第一區(qū)域中形成的第一溝槽結(jié)構(gòu)部件、要在第二區(qū)域中形成的第二溝槽結(jié)構(gòu)部件、以及要在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的邊界處形成的偽溝槽結(jié)構(gòu)部件；通過硬掩模的開口來對襯底進(jìn)行刻蝕操作，從而在第一區(qū)域中形成第一溝槽，在第二區(qū)域中形成第二溝槽，并且在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的邊界處形成第三溝槽，其中第一溝槽在襯底中的深度小于第二溝槽在襯底中的深度；以及填充第一溝槽、第二溝槽和第三溝槽并且進(jìn)行化學(xué)機械拋光處理，從而分別形成第一溝槽結(jié)構(gòu)部件、第二溝槽結(jié)構(gòu)部件和偽溝槽結(jié)構(gòu)部件。

通過以下參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點將會變得更為清楚。

附圖說明

構(gòu)成說明書的一部分的附圖描述了本公開的實施例，并且連同說明書一起用于解釋本公開的原理。

參照附圖，根據(jù)下面的詳細(xì)描述，可以更加清楚地理解本公開，其中：

圖1示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體裝置可能存在的缺陷。

圖2示出了根據(jù)本公開一個示例性實施例的半導(dǎo)體裝置的中間狀態(tài)的截面圖。

圖3A示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)的圖像傳感器的平面布局，而圖3B示意性地示出了根據(jù)本公開一個示例性實施例的圖像傳感器的平面布局。

圖4示出了根據(jù)本公開一個示例性實施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。

圖5A-5G分別示出了在根據(jù)本公開一個示例性實施例來制造半導(dǎo)體裝置的一個方法示例的各個步驟處的裝置截面示意圖。

圖6A-6G分別示出了在根據(jù)本公開一個示例性替代實施例來制造半導(dǎo)體裝置的一個方法示例的各個步驟處的裝置截面示意圖。

圖7A-7G分別示出了在根據(jù)本公開另一個示例性替代實施例來制造半導(dǎo)體裝置的一個方法示例的各個步驟處的裝置截面示意圖。

注意，在以下說明的實施方式中，有時在不同的附圖之間共同使用同一附圖標(biāo)記來表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重復(fù)說明。在本說明書中，使用相似的標(biāo)號和字母表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進(jìn)行進(jìn)一步討論。