[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 201710950877.0 | 申請日: | 2017-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN109671732A | 公開(公告)日: | 2019-04-23 |
| 發明(設計)人: | 吳志凌;蘇義閔 | 申請(專利權)人: | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/42 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 開曼群島大開曼島大展館商業中*** | 國省代碼: | 開曼群島;KY |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微型發光元件 顯示裝置 電極 驅動基板 共電極 磊晶結構層 配置 正向出光效率 相對兩側 導電率 上表面 有效地 暴露 | ||
1.一種顯示裝置,其特征在于,包括:
驅動基板;
多個微型發光元件,分散地配置于所述驅動基板上,且各所述多個微型發光元件包括磊晶結構層及配置于所述磊晶結構層相對兩側上的第一型電極與第二型電極;以及
共電極,配置于所述驅動基板上,且位于所述多個微型發光元件的所述第二型電極之間,其中所述共電極暴露出所述第二型電極的上表面。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述共電極至少直接接觸各所述多個微型發光元件的所述第二型電極的側面。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,所述共電極與所述第二型電極的所述側面的接觸面積和所述第二型電極的所述側面的面積的比值介于0.3至1。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,還包括:
隔離層,配置于所述驅動基板上,且至少覆蓋各所述多個微型發光元件的所述第一型電極,而所述共電極位于所述隔離層上。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置,還包括:
多個絕緣結構層,各所述多個絕緣結構層至少包覆各所述多個微型發光元件的所述磊晶結構層,且位于所述磊晶結構層與所述隔離層之間。
6.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,還包括:
多個絕緣結構層,各所述多個絕緣結構層至少包覆各所述多個微型發光元件的所述磊晶結構層,且位于所述磊晶結構層與所述共電極之間。
7.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中所述共電極的材料包括金屬或導電高分子材料。
8.根據權利要求7所述的顯示裝置,其特征在于,所述金屬包括銀、金、鉻、銅、鉑、錫、鎳、鈦、鋁或是上述金屬的合金。
9.根據權利要求7所述的顯示裝置,其特征在于,所述導電高分子材料包括聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺或聚二氧基噻吩:聚苯乙烯磺酸及其混合物。
10.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述共電極的透光率小于各所述多個微型發光元件的所述第二型電極的透光率。
11.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述共電極的頂面與所述第二型電極的所述上表面切齊。
12.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述共電極的厚度小于等于所述第二型電極的厚度。
13.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述共電極在垂直剖面上具有第一垂直高度,而各所述多個微型發光元件在垂直剖面上具有第二垂直高度,且所述第一垂直高度與所述第二垂直高度的比值介于0.1至1。
14.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,各所述多個微型發光元件的所述磊晶結構層包括第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層,所述發光層位于所述第一半導體層與所述第二型半導體層之間,所述第一型電極與所述第一型半導體層電性連接,所述第二型電極與所述第二型半導體層電性連接。
15.根據權利要求14所述的顯示裝置,其特征在于,所述共電極覆蓋所述發光層的側面。
16.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一型電極為N型電極,而所述第二型電極為P型電極。
17.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置還包括:
透明電極,配置于各所述多個微型發光元件與所述共電極上,且至少直接接觸各所述多個微型發光元件的所述第二型電極與所述共電極。
18.根據權利要求17所述的顯示裝置,其特征在于,所述透明電極的厚度與各所述多個微型發光元件的所述第二型電極的厚度的比值小于等于0.4。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司,未經英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710950877.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





