[發(fā)明專利]一種偏壓特性優(yōu)良的陶瓷介質(zhì)材料及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710949088.5
• 申請日: 2017-10-12
• 公開（公告）號: CN107739204B
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張軍志;楊和成
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門松元電子有限公司
• 主分類號: C04B35/468
• 分類號: C04B35/468;C04B35/626;C04B35/64
• 代理公司: 廈門智慧呈睿知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 35222
• 代理人: 郭福利;魏思凡

1.一種偏壓特性優(yōu)良的陶瓷介質(zhì)材料，其特征在于，符合X7T溫度特性，包括質(zhì)量分?jǐn)?shù)為96～98％的主晶相材料和質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2～4％的改性添加物，所述主晶相材料的主要成分為(Ba_1-xSr_x)TiO₃，其中，0.001≤x≤0.1，所述改性添加物包括Al₂O₃、MnCO₃、NiO、MgO、Y₂O₃、Yb₂O₃、SiO₂、Co₃O₄、Fe₂O₃中的兩種或兩種以上；

所述改性添加物中，各組分在所述陶瓷介質(zhì)材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)如下：Al₂O₃為0.0～0.8％、MnCO₃為0.4～1.0％、NiO為0.0～0.2％、MgO為0.0～0.8％、Y₂O₃為0.0～1.2％、Yb₂O₃為0.0～0.4％、SiO₂為0.6～1.0％、Co₃O₄為0.0～0.5％、Fe₂O₃為0.0～0.2％；

所述陶瓷介質(zhì)材料的制備方法為：將所述主晶相材料和所述改性添加物進(jìn)行濕法球磨，干燥得到所述陶瓷介質(zhì)材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏壓特性優(yōu)良的陶瓷介質(zhì)材料，其特征在于，所述主晶相材料通過固相合成法制備得到，包括以下步驟：按化學(xué)計(jì)量比將BaCO₃、TiO₂、SrCO₃混合，并添加輔助物，然后經(jīng)濕法球磨后在空氣氣氛下于1150～1250℃條件下煅燒2～4h。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏壓特性優(yōu)良的陶瓷介質(zhì)材料，其特征在于，所述輔助物包括Ca、Sr、Zr、Ti、Y中的一種或多種元素的氧化物或碳酸鹽。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏壓特性優(yōu)良的陶瓷介質(zhì)材料，其特征在于，所述改性添加物中，各組分在所述陶瓷介質(zhì)材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)如下：Al₂O₃為0.2～0.6％、MnCO₃為0.4～1.0％、NiO為0.1～0.2％、MgO為0.2～0.8％、Y₂O₃為0.4～1.0％、Yb₂O₃為0.1～0.2％、SiO₂為0.6～1.0％、Co₃O₄為0.0～0.3％、Fe₂O₃為0.0～0.2％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏壓特性優(yōu)良的陶瓷介質(zhì)材料，其特征在于，所述陶瓷介質(zhì)材料在還原氣氛中1250～1350℃條件下燒結(jié)制得多層陶瓷電容器，介電常數(shù)為900～1500，且符合X7T溫度特性要求。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏壓特性優(yōu)良的陶瓷介質(zhì)材料，其特征在于，所述陶瓷介質(zhì)材料的粒徑為400～800nm。

7.一種如權(quán)利要求1所述的偏壓特性優(yōu)良的陶瓷介質(zhì)材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：將所述主晶相材料和所述改性添加物進(jìn)行濕法球磨，干燥得到所述陶瓷介質(zhì)材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述主晶相材料根據(jù)以下步驟制備得到：按化學(xué)計(jì)量比將BaCO₃、TiO₂、SrCO₃混合，并添加輔助物，經(jīng)濕法球磨后在空氣氣氛下于1150～1250℃條件下煅燒2～4h。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述輔助物為氧化釔。