[發明專利]一種低溫燒結的MLCC用陶瓷介質材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201710949084.7
• 申請日: 2017-10-12
• 公開（公告）號: CN107500755A
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發明（設計）人: 張軍志;鄒海雄;楊和成
• 申請（專利權）人: 廈門松元電子有限公司
• 主分類號: C04B35/468
• 分類號: C04B35/468;C04B35/622;C04B35/64;H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 廈門智慧呈睿知識產權代理事務所(普通合伙)35222
• 代理人: 郭福利,魏思凡

1.一種低溫燒結的MLCC用陶瓷介質材料，其特征在于，包括質量分數為95～99％的主晶相成分和質量分數為1～5％的改性添加物，所述主晶相成分包括Sr、Si摻雜的BaTiO₃，所述改性添加物選自ZrO₂、MnCO₃、MgO、Y₂O₃、ZnO、Yb₂O₃、Er₂O₃、La₂O₃、SiO₂中的兩者種或兩種以上。

2.根據權利要求1所述的低溫燒結的MLCC用陶瓷介質材料，其特征在于，所述改性添加物中，各組分在所述陶瓷介質材料中的質量分數如下：ZrO₂為0.0～0.5％；MnCO₃為0～1.5％；MgO為0～2.0％；Y₂O₃為0～1.5％；ZnO為0.0～0.5％；Yb₂O₃為0～0.4％；Er₂O₃為0～0.2％；La₂O₃為0～0.2％；SiO₂為0.3～0.6％。

3.根據權利要求1所述的低溫燒結的MLCC用陶瓷介質材料，其特征在于，所述改性添加物中，各組分在所述陶瓷介質材料中的質量分數如下：ZrO₂為0.2～0.5％；MnCO₃為0.5～1.5％；MgO為0.8～2.0％；Y₂O₃為0.5～1.5％；ZnO為0.2～0.5％；Yb₂O₃為0～0.4％；Er₂O₃為0～0.2％；La₂O₃為0～0.2％；SiO₂為0.3～0.6％。

4.根據權利要求1所述的低溫燒結的MLCC用陶瓷介質材料，其特征在于，所述主晶相成分為(Ba_1-x-ySr_xSi_y)TiO₃，x＝0.0016～0.002，y＝0.003～0.0034。

5.根據權利要求1所述的低溫燒結的MLCC用陶瓷介質材料，其特征在于，所述陶瓷介質材料的介電常數介于3400～3800，容量變化率為±15％，室溫介電損耗≤2.5％。

6.根據權利要求1所述的低溫燒結的MLCC用陶瓷介質材料，其特性在于，所述陶瓷介質材料在還原氣氛中1220～1260℃條件下燒結制得多層陶瓷電容器。

7.根據權利要求6所述的低溫燒結的MLCC用陶瓷介質材料，其特性在于，所述多層陶瓷電容器的介電常數為3400～3800，符合X7R溫度特性。

8.一種如權利要求1～7任意一項所述的低溫燒結的MLCC用陶瓷介質材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，將碳酸鋇、硅的氧化物或碳酸鹽、鍶的氧化物或碳酸鹽、二氧化鈦進行濕法球磨，然后在空氣氣氛下煅燒2～4h，煅燒溫度為1100℃～1150℃，得到所述主晶相成分；

S2，將所述主晶相成分和所述改性添加物進行濕法球磨，干燥得到所述陶瓷介質材料。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，步驟S1中，按重量比1:1～2將物料和水混合進行濕法球磨。

10.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，步驟S2中，按重量比1:0.6～1將物料和水混合進行濕法球磨。