[發(fā)明專利]電子元件容器及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710948326.0 | 申請日: | 2017-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN108461431B | 公開(公告)日: | 2022-05-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 尹勢元 | 申請(專利權(quán))人: | 尹勢元 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/687;B65D85/86 |
| 代理公司: | 北京冠和權(quán)律師事務(wù)所 11399 | 代理人: | 朱健;陳國軍 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子元件 容器 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種電子元件容器及其制造方法,所述電子元件容器包括:基底層;第一及第二防靜電層,其分別形成于所述基底層上部及下部表面;收容槽,其是由所述基底層和第一及第二防靜電層以矩陣形狀排列成型M×N個(gè)而形成的;導(dǎo)電層,其以與所述第一及第二防靜電層電連接的形式形成于所述基底層的側(cè)面。據(jù)此,導(dǎo)電層對第一及第二防靜電層進(jìn)行電連接,所以即使在多個(gè)電子元件容器層疊的狀態(tài)下,也可以容易地去除產(chǎn)生的靜電,從而可以防止位于收容槽內(nèi)的電子元件因靜電而被破壞,毛刺和細(xì)微粒子由耐溶劑性樹脂形成,從而即使沒有溶解于有機(jī)溶劑,在導(dǎo)電層形成時(shí)因埋沒至內(nèi)部而不被露出,所以,減少去除時(shí)間,從而提高生產(chǎn)性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電子元件容器及其制造方法,尤其,涉及一種電子元件容器及其制造方法,所述電子元件容器包括用于對半導(dǎo)體器件等的電子元件進(jìn)行包裝的托盤(tray)或載帶(Carrier Tape)等。
背景技術(shù)
為了將電子元件包裝成M×N(M及N為自然數(shù))個(gè),目前使用托盤或載帶等,電子元件是將半導(dǎo)體器件等每個(gè)單獨(dú)的電子元件或每個(gè)相互不同的單獨(dú)的電子元件組裝為模塊而制成的。為了防止電子元件等因靜電而被破壞,所述包裝容器在構(gòu)成主體的由非傳導(dǎo)性的合成樹脂形成的基底層的上部及下部表面分別形成有第一及第二防靜電層,電子元件是將包裝好的半導(dǎo)體器件等每個(gè)單獨(dú)的電子元件或每個(gè)相互不同的單獨(dú)的電子元件組裝為模塊而制成的,第一及第二防靜電層包含導(dǎo)電性材料從而具有防靜電特性。因?yàn)樗龅谝患暗诙漓o電層,所以即使在包括托盤或者載帶等在內(nèi)的容器中發(fā)生靜電,也不會向收容于收容槽內(nèi)的電子元件傳遞,而是向外部放電,從而防止所述電子元件被破壞。
所述托盤或載帶通過如下方式形成:在由非傳導(dǎo)性的合成樹脂的板材形成的基底層的上部及下部表面分別形成有具有傳導(dǎo)性的第一及第二防靜電層后,對板進(jìn)行加熱后,到達(dá)托盤模具,上下模具相接觸的同時(shí)用空氣加壓成型,從而形成收容電子元件的收容槽,所述收容槽截?cái)酁榫哂蠱×N(M及N為自然數(shù))個(gè)的單位。
在所述成型后,在截?cái)酁閱挝煌斜P或載帶時(shí),基底層、第一及第二防靜電層沒有被全部去除,而是在截?cái)嗝嫔蓺埩粲腥我庖粋€(gè)層的一部分或多個(gè)層的一部分的細(xì)微的毛刺(burr),不僅如此,截?cái)嗝娌黄交炊兊么植冢瑥亩a(chǎn)生微弱地粘附的細(xì)微粒子。所述毛刺(burr)和細(xì)微粒子在使用時(shí)附著于收容在收容槽的電子元件,從而使得所述電子元件短路進(jìn)而被破壞。
因此,包括單位托盤或者載帶在內(nèi)的電子元件容器要去除形成于截?cái)嗝娴拿?burr)和細(xì)微粒子。
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的去除毛刺(burr)和細(xì)微粒子的裝置公開在韓國公開專利第2002-0075684號(發(fā)明名稱:用于電子芯片元件的載帶的毛刺去除裝置)。
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于電子芯片元件的載帶的毛刺去除裝置包括:主體;引導(dǎo)裝置,其設(shè)置于所述主體上,托住(holding)從穿孔(punching)裝置被引導(dǎo)的用于電子元件容器的載帶,同時(shí)引導(dǎo)至重繞(rewinding)裝置;燃燒(burning)裝置,其燃燒產(chǎn)生于載帶的芯片插入孔的毛刺,載帶通過所述引導(dǎo)裝置得到引導(dǎo)。
所述用于電子芯片元件的載帶在基底層的上部表面及下部表面至少包括第一及第二防靜電層,基底層由合成樹脂形成從而具有能夠保持形狀的強(qiáng)度。
在去除所述毛刺時(shí),也一起去除微弱地粘附于截?cái)嗝娴募?xì)微粒子,用于去除所述毛刺和細(xì)微粒子的燃燒裝置包括至少一個(gè)以上的加熱器(heater),所述加熱器的發(fā)熱溫度為100~1000℃。
此外,在所述加熱器的相對側(cè)還包括支撐裝置,支撐裝置對用于電子元件容器的載帶的加熱(heating)面相反側(cè)進(jìn)行支撐,以便防止載帶因從加熱器產(chǎn)生的熱風(fēng)而被擠出。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





