[發明專利]具有延伸到導熱電介質片外的導電層的芯片載體

有效

• 申請號: 201710947225.1
• 申請日: 2017-10-12
• 公開（公告）號: CN107946258B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: A·格拉斯曼;W·哈布萊;J·赫格爾;A·凱斯勒;I·尼基廷;A·施特拉斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新

一種芯片載體(100)，其包括導熱電絕緣片(102)、位于所述片(102)的第一主表面上的第一導電結構(104)和位于所述片(102)的第二主表面上的第二導電結構(106)，其中，所述第一導電結構(104)和所述第二導電結構(106)延伸到所述片(102)的側向邊緣外。

技術領域

本發明涉及多種芯片載體、一種封裝體、一種車輛、一種使用方法和多種制造方法。

背景技術

例如用于汽車應用的功率模塊為一個或兩個以上功率器件提供物理容納，該功率器件通常是成包括一個或兩個以上集成電路器件的電子芯片形式的功率半導體裝置。功率模塊的集成電路器件的示例是絕緣柵雙極晶體管(IGBT：Insulated Gate BipolarTransistor)和二極管。

還有潛在的空間在高效地去除熱量和提供擴展功能的同時簡化封裝體的可制造性。

發明內容

可能需要一種芯片載體和一種封裝體，從而在高效地去除在運行期間產生的熱量的同時簡化了可制造性并提供了擴展功能。

根據一個示例性實施例，提供了一種芯片載體，其包括：導熱電絕緣片、位于所述片的第一主表面上(特別是直接地，即在之間沒有附加元件，或者間接地，即在之間具有至少一個附加元件)的第一導電結構和位于所述片的第二主表面上(特別是直接地，即在之間沒有附加元件，或者間接地，即在之間具有至少一個附加元件)的第二導電結構，其中，所述第一導電結構和所述第二導電結構延伸到所述片的側向邊緣(特別是外側向邊緣)外。

根據另一示例性實施例，提供了一種芯片載體，其包括：導熱電絕緣片、位于所述片的第一主表面上的第一導電結構和位于所述片的第二主表面上的第二導電結構，其中，所述第一導電結構和所述第二導電結構中的至少一個(特別是兩者)延伸到所述片的側向邊緣外并且比所述片具有更大的表面(即，具有面積比所述片的相應主表面的面積更大的主表面)。

根據又一示例性實施例，提供了一種封裝體(例如功率封裝體)，其包括：具有上述特征的芯片載體、安裝在所述芯片載體的所述第一導電結構上的至少一個電子芯片(例如半導體芯片)以及包封所述至少一個電子芯片的至少一部分和所述芯片載體的至少一部分的包封材料。

根據又一示例性實施例，提供了一種制造芯片載體的方法，其中，所述方法包括：將導熱電絕緣片、位于所述片的第一主表面上的第一導電結構和位于所述片的第二主表面上的第二導電結構互連，以及將所述第一導電結構和所述第二導電結構中的一個或兩者配置成延伸到所述片的側向邊緣外。

根據又一示例性實施例，提供了一種制造封裝體的方法，其中，所述方法包括：提供具有上述特征的芯片載體，將至少一個電子芯片安裝在所述芯片載體的所述第一導電結構上，以及通過包封材料包封所述至少一個電子芯片的至少一部分和所述芯片載體的至少一部分。

根據另一示例性實施例，提供了一種車輛，其包括具有上述特征的芯片載體或具有上述特征的封裝體。

根據又一示例性實施例，具有上述特征的芯片載體或具有上述特征的封裝體用于汽車應用。