[發(fā)明專利]一種氧化錫基半導(dǎo)體薄膜晶體管及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710947178.0
• 申請日: 2017-10-12
• 公開（公告）號: CN107731930A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 寧洪龍;劉賢哲;姚日暉;胡詩犇;張嘯塵;李曉慶;張建東;徐苗;王磊;彭俊彪
• 申請（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44245
• 代理人: 羅嘯秋

1.一種氧化錫基半導(dǎo)體薄膜晶體管，由玻璃基板、柵極、柵極絕緣層、有源層和源/漏電極構(gòu)成，其特征在于：所述的有源層為非晶摻硅氧化錫薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化錫基半導(dǎo)體薄膜晶體管，其特征在于：所述柵極為厚度100～300nm的Al薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化錫基半導(dǎo)體薄膜晶體管，其特征在于：所述柵極絕緣層為厚度100～200nm的Al₂O₃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化錫基半導(dǎo)體薄膜晶體管，其特征在于：所述非晶摻硅氧化錫薄膜的厚度為5～10nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化錫基半導(dǎo)體薄膜晶體管，其特征在于：所述非晶摻硅氧化錫薄膜中硅的摻雜濃度為3～6wt％。

6.權(quán)利要求1～5任一項所述的一種氧化錫基半導(dǎo)體薄膜晶體管的制備方法，其特征在于包括如下制備步驟：

(1)在玻璃基板上直流磁控濺射沉積制備柵極，然后在柵極表面陽極氧化生長柵極絕緣層；

(2)采用射頻磁控濺射在柵絕緣層上沉積非晶摻硅氧化錫薄膜作為有源層；

(3)利用掩膜法在非晶摻硅氧化錫薄膜上直流磁控濺射制備源/漏電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種氧化錫基半導(dǎo)體薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟(2)中所述射頻磁控濺射的功率為200～500W，工作氣壓為1～5mtorr，氬氣/氧氣流量比為20/0～20/4。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種氧化錫基半導(dǎo)體薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟(2)中所述非晶摻硅氧化錫薄膜的霍爾遷移率控制為4.7～7.1cm²/Vs，載流子濃度控制為4.09×10¹⁸～2.97×10¹⁹cm^-3，氧空位含量為40.05％～45％。