[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710945504.4
• 申請(qǐng)日: 2017-10-12
• 公開（公告）號(hào): CN107958682B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔海郞;池性洙;元炯植
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): G11C11/406
• 分類號(hào): G11C11/406;G11C11/4063;G11C8/18
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

一種存儲(chǔ)器件包括：多個(gè)存儲(chǔ)單元；弱地址儲(chǔ)存塊，其適用于儲(chǔ)存多個(gè)存儲(chǔ)單元之中數(shù)據(jù)保持時(shí)間比參考時(shí)間短的弱單元的弱地址；刷新計(jì)數(shù)器，其適用于產(chǎn)生計(jì)數(shù)地址；以及地址選擇塊，其適用于通過選擇計(jì)數(shù)地址和弱地址之中的一個(gè)來輸出刷新地址，其中，在選擇計(jì)數(shù)地址中，當(dāng)計(jì)數(shù)地址的至少一個(gè)預(yù)設(shè)比特位的值被改變時(shí)，地址選擇塊在預(yù)定時(shí)段內(nèi)選擇弱地址。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2016年10月17日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2016-0134237的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其公開通過引用整體合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

示例性實(shí)施例涉及一種存儲(chǔ)器件，更具體地，涉及一種用于執(zhí)行刷新操作的存儲(chǔ)器件。

背景技術(shù)

通常，諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)單元包括用于以電荷形式儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的電容器以及用作控制電荷流入和流出電容器的開關(guān)的一個(gè)或更多個(gè)晶體管。可以根據(jù)存儲(chǔ)單元的電容器中是否存在電荷(即電容器的端電壓是高還是低)將數(shù)據(jù)識(shí)別為邏輯高電平或邏輯低電平。

原則上，數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存不消耗功率，因?yàn)閿?shù)據(jù)以電荷被累積在電容器中的方式來儲(chǔ)存。然而，因?yàn)閮?chǔ)存在電容器中的電荷的初始量可以由于因MOS晶體管的PN結(jié)等引起的漏電流而消失，所以數(shù)據(jù)可能會(huì)丟失。為了防止這種數(shù)據(jù)丟失，可以在數(shù)據(jù)丟失之前讀取存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)，并且可以基于讀取的信息來再次補(bǔ)給正常量的電荷。該操作被稱為刷新操作，并且通常被周期性地重復(fù)以保留儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)。

通常，每次刷新命令從存儲(chǔ)器控制器被輸入到存儲(chǔ)器時(shí)，執(zhí)行刷新操作。此外，存儲(chǔ)器控制器通常以基于存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)保持時(shí)間而計(jì)算的預(yù)定時(shí)間間隔來周期性地將刷新命令輸入到存儲(chǔ)器。這意味著，如果例如當(dāng)刷新命令被輸入8000次時(shí)存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)保持時(shí)間為64ms且存儲(chǔ)器件中的所有存儲(chǔ)單元可以被刷新，則存儲(chǔ)器控制器應(yīng)該將刷新命令每64ms輸入到存儲(chǔ)器8000次。

在存儲(chǔ)器件的測(cè)試過程中，如果包括在存儲(chǔ)器件中的一些存儲(chǔ)單元(以下稱為“弱單元”)的數(shù)據(jù)保持時(shí)間不滿足規(guī)定的參考時(shí)間，則對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器件被處理為故障品，并且該存儲(chǔ)器件應(yīng)該被丟棄。

當(dāng)包括弱單元的所有存儲(chǔ)器件被處理為故障品時(shí)，成品率會(huì)大幅度降低。此外，盡管存儲(chǔ)器件已經(jīng)通過制造測(cè)試，但是由于隨后的因素(即，在存儲(chǔ)器件制造之后出現(xiàn)的因素)而引起的弱單元，因此仍然可能會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤。

此外，由于超高集成度需要將至少幾千萬個(gè)存儲(chǔ)單元集成在一個(gè)芯片中，因此即使制造工藝已經(jīng)大幅度提高，弱單元存在的概率也會(huì)增加。因此，需要用于確定和管理弱單元的新技術(shù)來提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的可靠性以及制造工藝的成品率，特別是對(duì)于超高集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

發(fā)明內(nèi)容

各種實(shí)施例涉及一種存儲(chǔ)器件，其用于在跳過具有比第二參考時(shí)間長(zhǎng)的數(shù)據(jù)保持時(shí)間的存儲(chǔ)單元的刷新的同時(shí)，通過額外刷新具有比第一參考時(shí)間短的數(shù)據(jù)保持時(shí)間的存儲(chǔ)單元來減少操作錯(cuò)誤且降低功耗。

在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器件可以包括：多個(gè)存儲(chǔ)單元；弱地址儲(chǔ)存塊，其適用于儲(chǔ)存多個(gè)存儲(chǔ)單元之中數(shù)據(jù)保持時(shí)間比參考時(shí)間短的弱單元的弱地址；刷新計(jì)數(shù)器，其適用于產(chǎn)生計(jì)數(shù)地址；以及地址選擇塊，其適用于通過選擇計(jì)數(shù)地址和弱地址之中的一個(gè)來輸出刷新地址，其中，在選擇計(jì)數(shù)地址中，當(dāng)計(jì)數(shù)地址的至少一個(gè)預(yù)設(shè)比特位的值被改變時(shí)，地址選擇塊在預(yù)定時(shí)段內(nèi)選擇弱地址。

在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器件可以包括：多個(gè)存儲(chǔ)單元；弱地址儲(chǔ)存塊，其適用于儲(chǔ)存多個(gè)存儲(chǔ)單元之中數(shù)據(jù)保持時(shí)間比參考時(shí)間短的弱單元的弱地址；刷新計(jì)數(shù)器，其適用于產(chǎn)生計(jì)數(shù)地址；以及地址選擇塊，其適用于通過選擇計(jì)數(shù)地址和弱地址之中的一個(gè)來輸出刷新地址，其中，在選擇計(jì)數(shù)地址中，當(dāng)計(jì)數(shù)地址的計(jì)數(shù)完成時(shí)，地址選擇塊在預(yù)定時(shí)段內(nèi)選擇弱地址。