[發明專利]片上恒定電壓產生電路及芯片

在審

• 申請號: 201710945210.1
• 申請日: 2017-10-12
• 公開（公告）號: CN107634650A
• 公開（公告）日: 2018-01-26
• 發明（設計）人: 陳朝勇;李華鋒
• 申請（專利權）人: 福建省福芯電子科技有限公司
• 主分類號: H02M3/156
• 分類號: H02M3/156
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙)35219
• 代理人: 林祥翔,徐劍兵

1.一種片上恒定電壓產生電路，其特征在于，包括降壓電路、電流控制電路、電壓采樣電路、反饋電路；

所述降壓電路輸入端與片外輸入電壓連接，降壓電路輸出端與電流控制電路輸入端連接，所述電流控制電路輸出端與恒壓輸出端連接，電流控制電路輸出端還與采樣電路輸入端連接，所述采樣電路輸出端與反饋電路輸入端連接，所述反饋電路的第一控制端與降壓電路控制端連接，所述反饋電路的第二控制端與電流控制電路控制端連接；

所述降壓電路用于將片外輸入電壓轉換為低壓輸出，所述電流控制電路用于將低壓輸出轉換為恒壓輸出；所述采樣電路用于采集恒壓輸出等效信號；所述反饋電路用于接受恒壓輸出等效信號并根據恒壓輸出等效信號生成控制信號發送給降壓電路或電流控制電路。

2.根據權利要求1所述的片上恒定電壓產生電路，其特征在于，所述降壓電路包括高壓MOS管。

3.根據權利要求1所述的片上恒定電壓產生電路，其特征在于，所述電流控制電路包括場效應管NM1，NM1的漏極與電流控制電路輸入端連接，源極與電流控制電路輸出端連接，柵極與電流控制電路控制端連接。

4.根據權利要求1所述的片上恒定電壓產生電路，其特征在于，所述電壓采樣電路包括降壓元，所述降壓元的一端與采樣電路輸入端連接，另一端與采樣電路輸出端連接。

5.根據權利要求1所述的片上恒定電壓產生電路，其特征在于，所述反饋電路包括比較電路、NMOS控制管；所述比較電路的一輸入端與反饋電路輸入端連接，比較器輸出端與NMOS控制管的柵極連接，NMOS控制管的漏極與反饋電路的第一、第二控制端連接。

6.一種芯片，其特征在于，包括根據權利要求1-5任一項所述的片上恒定電壓產生電路，高壓輸入管腳；所述片上恒定電壓產生電路與高壓輸入管腳直接連接。