[發(fā)明專利]薄膜電路及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710943322.3
• 申請(qǐng)日: 2017-10-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107706091B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林亞麗;田華;周剛;孟佳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H05K1/02
• 代理公司: 北京博思佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11415
• 代理人: 林祥

本發(fā)明涉及薄膜電路及其制備方法，該制備方法包括：提供一介質(zhì)基片；在所述介質(zhì)基片上形成復(fù)合金屬膜層；通過(guò)電鍍加厚薄膜電路圖形所在區(qū)域的位于復(fù)合金屬膜層最上層的膜層，形成電鍍膜層圖形，所述電鍍膜層圖形的上表面面積大于下表面面積；在所述電鍍膜層圖形的側(cè)面形成光刻膠遮擋圖案，通過(guò)光刻形成薄膜電路圖形。該制備方法可避免對(duì)薄膜電路圖形所在區(qū)域的膜層側(cè)面進(jìn)行腐蝕，提高最終形成的薄膜電路的性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及薄膜電路及其制備方法。

背景技術(shù)

薄膜電路與其他類型的電路相比，具有互連密度高和線條精度高的優(yōu)點(diǎn)，可用于制造高功率電路。

目前制造薄膜電路通常采用鍍膜工藝以及通過(guò)光刻、曝光、顯影和刻蝕等構(gòu)圖工藝，在陶瓷或者石英等基板上制作電路結(jié)構(gòu)，具體而言，主要包括以下步驟：

首先，通過(guò)鍍膜工藝在基板上沉積復(fù)合金屬膜層；

其次，在復(fù)合金屬膜層上涂覆光刻膠，通過(guò)掩膜版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，去除電路圖形部分的光刻膠，暴露出復(fù)合金屬膜層，然后進(jìn)行帶膠電鍍所需金屬層，由于非電路圖形部分被光刻膠覆蓋遮擋，無(wú)法電鍍金屬層，而暴露出的部分通過(guò)電鍍加厚了金屬膜層；

再次，帶膠電路完成后，去除光刻膠圖形，對(duì)非電路圖形部分的金屬?gòu)?fù)合膜層進(jìn)行刻蝕，以去除非電路圖形部分的金屬?gòu)?fù)合膜層，在刻蝕過(guò)程中，由于包括多層金屬?gòu)?fù)合膜層，需要采用不同金屬膜層的刻蝕液逐層刻蝕掉各層金屬膜層，而不同金屬?gòu)?fù)合膜層的刻蝕液之間可能具有相容性，在刻蝕非電路圖形部分的金屬?gòu)?fù)合膜層時(shí)，可能也會(huì)對(duì)電路圖形部分的膜層的側(cè)面進(jìn)行腐蝕，因此，會(huì)影響最終的薄膜電路的性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供薄膜電路及其制作方法，以解決相關(guān)技術(shù)中的不足。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第一方面，提供一種薄膜電路的制備方法，包括：

提供一介質(zhì)基片；

在所述介質(zhì)基片上形成復(fù)合金屬膜層；

通過(guò)電鍍加厚薄膜電路圖形所在區(qū)域的位于復(fù)合金屬膜層最上層的膜層，形成電鍍膜層圖形，所述電鍍膜層圖形的上表面面積大于下表面面積；

在所述電鍍膜層圖形的側(cè)面形成光刻膠遮擋圖案，通過(guò)光刻形成薄膜電路圖形。

可選的，所述通過(guò)電鍍加厚薄膜電路圖形所在區(qū)域的位于復(fù)合金屬膜層最上層的膜層，包括：

在所述復(fù)合金屬膜層上形成第一光刻膠層，對(duì)所述第一光刻膠層進(jìn)行曝光顯影后在非薄膜電路圖形所在區(qū)域形成第一光刻膠圖案；

在薄膜電路圖形所在區(qū)域的復(fù)合金屬膜層上進(jìn)行電鍍，加厚所述薄膜電路圖形所在區(qū)域的位于復(fù)合金屬膜層最上層的膜層；

剝離所述第一光刻膠圖案，形成所述電鍍膜層圖形。

可選的，所述薄膜電路圖形包括電路布線圖形；

所述在所述電鍍膜層圖形的側(cè)面形成光刻膠遮擋圖案，通過(guò)光刻形成薄膜電路圖形，包括：

通過(guò)干法刻蝕去除非電路布線圖形所在區(qū)域的位于復(fù)合金屬膜層的最上層的膜層；

在所述電路布線圖形所在區(qū)域以及非電路布線所在區(qū)域形成第二光刻膠層，對(duì)所述第二光刻膠層進(jìn)行曝光顯影后在所述電鍍膜層圖形的側(cè)面形成第一光刻膠遮擋圖案；

通過(guò)濕法一次性刻蝕去除非電路布線圖形所在區(qū)域的位于復(fù)合金屬膜層的最上層以外的膜層；

剝離所述第一光刻遮擋圖案，形成所述電路布線圖形。

可選的，所述薄膜電路圖形包括電路布線圖形和電阻圖形；