[發明專利]電介質納米磚陣列結構及其用作高反膜和高透膜的應用

有效

• 申請號: 201710942306.2
• 申請日: 2017-10-11
• 公開（公告）號: CN107664780B
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 鄭國興;戴琦;李子樂;鄧聯貴;鄧娟;劉勇;毛慶洲;何平安;李松
• 申請（專利權）人: 武漢大學
• 主分類號: G02B1/00
• 分類號: G02B1/00;G02B1/10;G02B1/118
• 代理公司: 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 張火春

1.一種電介質納米磚陣列結構用作高透膜的應用，所述電介質納米磚陣列結構包括襯底和襯底上的電介質納米磚陣列；所述電介質納米磚陣列由電介質納米磚周期性排列構成，其中，電介質納米磚陣列中的橫向間距和縱向間距相等；所述電介質納米磚為正四棱柱形，其底面為正方形，且其長寬高均為亞波長尺寸；其特征是：將所述電介質納米磚陣列結構用作高透膜，并優化所述電介質納米磚陣列結構的結構參數，使得混合層的等效折射率n介于混合層周圍介質的折射率n₀和襯底折射率n_G之間；

所述結構參數包括電介質納米磚的長、寬、高，以及電介質納米磚陣列的周期，所述周期為電介質納米磚陣列中橫向和縱向上相鄰電介質納米磚的中心軸的距離；

所述混合層指將電介質納米磚層看成電介質納米磚和空氣的混合層。

2.如權利要求1所述的應用，其特征是：

在使得混合層的等效折射率介于混合層周圍介質的折射率和襯底折射率之間的同時，還滿足相鄰兩束電磁波入射光引起的位相差為π，且

3.如權利要求1所述的應用，其特征是：

所述優化所述電介質納米磚陣列結構的結構參數，具體為：

采用電磁仿真法，在工作波長下優化單個電介質納米磚單元的結構參數，優化后的結構參數要使得混合層的等效折射率n介于混合層周圍介質的折射率n₀和襯底折射率n_G之間；所述電介質納米磚單元包括襯底和襯底上的單個電介質納米磚，其中，襯底上下表面的邊長即所述周期；

將優化后的單個電介質納米磚單元緊密排列，即獲得電介質納米磚陣列結構。

4.如權利要求1所述的應用，其特征是：

所述襯底為二氧化硅襯底。

5.如權利要求1所述的應用，其特征是：

所述電介質納米磚為硅納米磚。