[發(fā)明專利]有關(guān)有機(jī)掩模的用于選擇性地蝕刻氧化硅的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710941778.6
• 申請(qǐng)日: 2017-10-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107919264B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 巴斯卡·納加布海拉瓦;阿達(dá)什·巴薩瓦林加帕;王彭;波羅跋枷羅·卡帕拉達(dá)蘇;邁克爾·葛斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01L21/311;H01L21/768
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 樊英如;邱曉敏

1.一種用于利用具有通孔塞的有機(jī)平坦化層選擇性地蝕刻含氧化硅的層中的溝槽的方法，其包括：

將所述含氧化硅的層放置在處理室中；

使用多個(gè)工藝循環(huán)處理所述氧化硅層，其中每個(gè)工藝循環(huán)包括：

沉積階段，其包括：

提供沉積階段氣體的流到所述處理室中，所述沉積階段氣體包括具有氟碳比的含碳氟化合物或氫氟碳化合物的氣體；

提供具有至少60MHz的RF頻率的RF功率，其將所述沉積階段氣體形成為等離子體；以及

停止所述沉積階段；以及

蝕刻階段，其包括：

提供蝕刻階段氣體的流到所述處理室中，所述蝕刻階段氣體包括氟碳比高于所述沉積階段氣體的氟碳比的含碳氟化合物或氫氟碳化合物的氣體；

提供具有至少60MHz的RF頻率的脈沖RF功率，其將所述蝕刻階段氣體形成為等離子體，其中，在所述蝕刻階段期間提供的所述脈沖RF功率大于在所述沉積階段期間提供的所述RF功率；以及

停止所述蝕刻階段。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中每個(gè)蝕刻階段持續(xù)少于10秒的時(shí)間段，并且其中每個(gè)沉積階段持續(xù)少于10秒的時(shí)間段。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述蝕刻階段氣體包括CF₄、NF₃、CHF₃、O₂、Ar或N₂中的至少一種，并且其中所述沉積階段氣體包括C₄F₆、C₄F₈、CH₂F₂、或CO中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述有機(jī)平坦化層具有小于100nm的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述有機(jī)平坦化層在位于EUV掩模下的SiARC層下。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中在所述蝕刻階段期間的所述脈沖RF功率更大，因?yàn)樵谒鑫g刻階段期間具有至少60MHz的頻率的脈沖RF功率大于在所述沉積階段期間具有至少60MHz的RF頻率的恒定RF功率。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述沉積階段氣體的氟碳比小于1:1，并且所述蝕刻階段氣體的氟碳比大于1:1。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述沉積階段期間的RF功率是恒定的。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述蝕刻階段氣體包括CF₄、NF₃、CHF₃、O₂、Ar或N₂中的至少一種，并且其中所述沉積階段氣體包括C₄F₆，C₄F₈、CH₂F₂、或CO中的至少一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述有機(jī)平坦化層具有小于100nm的厚度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述有機(jī)平坦化層在位于EUV掩模下的SiARC層下。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述蝕刻階段期間的所述脈沖RF功率更大，因?yàn)樵谒鑫g刻階段期間具有至少60MHz的頻率的脈沖RF功率大于在所述沉積階段期間具有至少60MHz的RF頻率的恒定RF功率。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在小于60Hz的頻率下不提供RF功率。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述蝕刻階段期間提供額外的偏置RF功率。