[發明專利]一種運用硅通孔結構的新型切皮雪夫濾波器

在審

• 申請號: 201710941180.7
• 申請日: 2017-10-11
• 公開（公告）號: CN107611536A
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: 趙文生;傅楷;黃裕磊;徐魁文;王高峰
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20
• 代理公司: 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙)33240
• 代理人: 黃前澤

1.一種運用硅通孔結構的新型切皮雪夫濾波器，由多個元件單元構成，輸入輸出端口位于基底頂部的重新構建層；其特征在于：

所述的元件單元從上至下依次包括基底頂部重新構建層、多導體硅通孔陣列(600)、基底底部重新構建層，其中基底頂部重新構建層從上至下依次包括基底頂部螺旋電感(200)、頂部連接基板(500)，基底底部重新構建層從上至下依次包括底部連接基板(700)、基底底部螺旋電感(800)；

頂部連接基板(500)包括上層基板組件(300)、下層基板組件(400)；上層基板組件(300)從左至右依次包括上層第一基板(305)、上層第二基板(306)、上層第三基板(307)，上述三塊基板平行設置且互不連接；上層第一基板(305)的左側設有信號輸入端口(301)，頂面設有連接金屬塊(303)，用于連接基底頂部螺旋電感(200)的外端口(201)；上層第二基板(306)的頂面設有連接金屬塊(304)，用于連接基底頂部螺旋電感(200)的內端口(202)；上層第三基板(307)右側設有信號輸出端口(302)；下層基板組件(400)從左至右依次包括下層第一基板(413)、下層第二基板(414)、下層第三基板(415)，上述三塊基板平行設置且通過連接板連接；下層第一基板(413)的左側設有第一電流返回端口(401)，頂面設有三塊等間距設置的連接金屬塊(403-405)，通過上述連接金屬塊與上層第一基板(305)連接；下層第二基板(414)頂面設有四塊等間距設置的連接金屬塊(406-409)，通過上述連接金屬塊與上層第二基板(306)連接；下層第三基板(415)的右側設有第二電流返回端口(402)，頂面設有三塊等間距設置的連接金屬塊(410-412)，通過上述連接金屬塊與上層第三基板(306)連接；

上層基板組件(300)、下層基板組件(400)經連接金屬塊403-412連接；第一電流返回端口(401)與信號輸入端口(301)封裝連接構成頂部連接基板(500)的輸入端口(501)，該端口(501)作為濾波器的輸入端口或與下一個元件單元的輸出端口連接；第二電流返回端口(402)與右側信號輸出端口(302)封裝連接構成頂部連接基板(500)的輸出端口(502)，該端口(502)作為濾波器的輸出端口或與下一個元件單元的輸入端口連接；

底部連接基板(700)包括左側基板(708)、右側基板(709)，上述兩塊基本平行設置且互不連接；左側基板(708)的頂面設有四塊等間距設置的連接金屬塊(701-704)，右側基板(709)的頂面設有三塊等間距設置的連接金屬塊(705-707)；左側基板(708)、右側基板(709)底面位置分別設有連接金屬塊(710、711)，分別用于連接基底頂部螺旋電感(800)的內端口(801)、外端口(802)；

多導體硅通孔陣列(600)包括平行設置且互不連接的第一、二、三列多導體硅通孔陣列；第一列多導體硅通孔陣列包括三根等間距設置且互不連接的多導體硅通孔(601-603)，第二列多導體硅通孔陣列包括四根等間距設置且互不連接的多導體硅通孔(604-607)，第三列多導體硅通孔陣列包括三根等間距設置且互不連接的多導體硅通孔(608-610)；第一列多導體硅通孔陣列的三根多導體硅通孔(601-603)頂部分別通過連接金屬塊(611-613)與下層第一基板(413)底面連接，即接下層第一基板(413)的第一電流返回端口(401)；第二列多導體硅通孔陣列的四根多導體硅通孔(604-607)頂部分別通過連接金屬塊(614-617)與下層第二基板(414)底面連接，多導體硅通孔底部通過連接金屬塊(701-704)與左側基板(708)頂面連接；第三列多導體硅通孔陣列的三根多導體硅通孔(608-610)頂部分別通過連接金屬塊(618-620)與下層第三基板(415)底面連接，下層第三基板415通過連接金屬塊與上層第三基板(307)底面連接，即接上層第三基板(307)的信號輸出端口(302)，多導體硅通孔底部通過連接金屬塊(705-707)與右側基板(709)頂面連接。

2.如權利要求1所述的一種運用硅通孔結構的新型切皮雪夫濾波器，其特征在于多導體硅通孔為同軸硅通孔。

3.如權利要求1所述的一種運用硅通孔結構的新型切皮雪夫濾波器，其特征在于基底頂部螺旋電感(200)與基底底部螺旋電感(800)均由金屬線繞圈構成，金屬線的一端位于螺旋電感正位置，作為電感內端口(202、802)，金屬線的另一端位于螺旋電感的外側位置，作為電感外端口(201、801)。