[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201710940635.3
• 申請日: 2017-10-11
• 公開（公告）號: CN108231601B
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發明（設計）人: 余振華;蘇安治;吳集錫;葉德強;陳憲偉;陳威宇
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

將第一半導體管芯及第一虛擬管芯貼合到載體，其中所述第一半導體管芯的厚度大于所述第一虛擬管芯的厚度，所述第一虛擬管芯的第一側壁與所述第一半導體管芯相鄰，所述第一虛擬管芯的第二側壁與所述第一側壁平行，且所述第二側壁為相對于第一半導體管芯最遠的側壁；

在所述載體上形成第一模塑化合物層，所述第一模塑化合物層沿所述第一半導體管芯的側壁及所述第一虛擬管芯的側壁延伸；以及

在所述第一模塑化合物層上形成第一內連結構，其中：

所述第一內連結構包括第一金屬特征，所述第一金屬特征電耦合到所述第一半導體管芯；

所述第一內連結構包括直接位于第一虛擬管芯上的第二金屬特征，所述第二金屬特征延伸超出所述第一虛擬管芯的所述第二側壁且與所述第一虛擬管芯的所述第二側壁橫向重疊；且

所述第一模塑化合物層形成在所述第一虛擬管芯與所述第一金屬特征之間，且所述第一內連結構的所述第二金屬特征以及所述第一虛擬管芯僅通過介電材料隔開。

2.根據權利要求1所述的方法，其中在所述載體上形成所述第一模塑化合物層包括對所述第一模塑化合物層執行薄化工藝，直到暴露出所述第一半導體管芯的頂表面。

3.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

將第二虛擬管芯貼合到所述載體，其中：

所述第一半導體管芯的所述厚度大于所述第二虛擬管芯的厚度；且

所述第二虛擬管芯與所述第一虛擬管芯位于所述第一半導體管芯的相對兩側上。

4.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

將第二虛擬管芯、第三虛擬管芯及第四虛擬管芯貼合到所述載體，其中：

所述第一半導體管芯的所述厚度大于所述第二虛擬管芯的厚度、所述第三虛擬管芯的厚度及所述第四虛擬管芯的厚度；

所述第一虛擬管芯及所述第二虛擬管芯以第一方向為基準位于所述第一半導體管芯的相對兩側上；且

所述第三虛擬管芯及所述第四虛擬管芯以第二方向為基準位于所述第一半導體管芯的相對兩側上，其中所述第一方向與所述第二方向正交。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述第一半導體管芯的長度實質上等于所述第一虛擬管芯的長度。

6.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

將第二半導體管芯及第二虛擬管芯安裝到所述第一內連結構上，其中所述第二半導體管芯的厚度大于所述第二虛擬管芯的厚度；

在所述第一內連結構上形成第二模塑化合物層，所述第二模塑化合物層沿所述第二半導體管芯的側壁及所述第二虛擬管芯的側壁延伸；以及

在所述第二模塑化合物層上形成第二內連結構，其中所述第二模塑化合物層使所述第二內連結構的第三金屬特征與所述第二虛擬管芯電絕緣。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述第二虛擬管芯的中心與所述第一虛擬管芯的中心垂直對齊。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述第二虛擬管芯的中心與所述第一半導體管芯的中心垂直對齊。

9.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在所述第一模塑化合物層中形成第一通孔及第二通孔，其中所述第一半導體管芯及所述第一虛擬管芯位于所述第一通孔與所述第二通孔之間；以及

在所述第一模塑化合物層上安裝頂部封裝，其中所述頂部封裝的第一凸塊與所述第一通孔形成接頭結構。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一半導體管芯包括多個有源電路，且所述第一虛擬管芯不包含任何有源電路。